126054. lajstromszámú szabadalom • Villamosan asszimetriásan vezető rendszer, kiváltképpen szárazlemezes egyenirányító

Megjelent 1941. évi január hó 18-án. MAGYAR KIRÁLYI SZABADALMI BÍRÓSÁG SZABADALMI LEIRAS 12805 4. szám. VII/j. (VH/g.) osztály. L. 8086. alapszám. Villamosan aszimmelriásan vezető rendszer, kiváltképen szárazlemezes egyenirányító. Licentia Patent-Verwaltungs G. m. b. H., Berlin A bejelenlés napja: 1940. február hó 28. Németországi elsőbbsége: 1939. március hó 2. A találmány villamosan aszimmetriásan vezető szeléntípusú rendszer, kiváltképpen szárazegyenirányító, detektor vagy záróréteges fotócella, mely lé-5 nyegileg hordozó elektródából, arra helytállóan felvitt félvezetőrétegből és ellenelektródából áll, és melynek hatásos zárórétege a félvezető és az ellenelektróda között van. Az effajta isla mert elemeknél az ellenelektróda könynyen olvadó fémből, mint kadmiumból vagy megfelelő fémötvözetből van. A záróréteget meghatározott viszonyok elérése végett gyakran különleges eljá-15 rással viszik fel a félvezető szabad felületére és azután látják el az ellenelektródát képező fémbevonattal. A találmány szerint aszimmetriásan vezető rendszer az ismertekkel szem-20 ben azzal tűnik ki, hogy a vezetőképességnek az átbocsájtó irányban való csökkentése nélkül a záróhatás lényegesen növekszik és hogy a záróréteget nem kell külön munkamenetben elő-25 állítani. A találmány értelmében a félvezetőnek a hordozóelekródától elfordított szabad felületén talliumból, galliumból, indiumból vagy e fémek ötvöze-30 téből való réteg van. Ez a réteg közvetlenül ellenelekródaként használható; csupán a védelem céljából azonban ajánlatos, hogy egy további fémréteget alkalmazzunk. 35 A záróhatás szempontjából különösen jó eredményt érünk el, ha a -következőképpen járunk el: A hordozóelektrődán hatásos módosulatában lévő félvezetőre, mint pl. sze-40 lenre, talliumréteget, előnyösen 1 másodpercnyi igen rövid ideig tartó, felgőzöléssel akként állítunk elő, hogy 10-3

—1CM nagyságrendű vastag réteget kapjunk. E réteg védelmére ezután 100 C° körűi olvadó cin-kadmium-bizmutötvözetet viszünk fel. Ugyanezt az eljárást szobahőmérsékleten indiummal is fogan atosíthatjuk. Gallium felgőzölésekor a félvezetőréteggel borított hordozóelektródát legalább 100 C°-ra kell lehűtenünk. Védőréteget pl. bizmutnak a felgőzőlésével állíthatunk elő. E fémréteget nem ajánlatos felfecskendezéssel előállítani, mert akkor a réteg könnyen leválik. A galliummal előállított rendszereknek az a különleges előnyük, hogy a rendkívül kis kapacitásuk miatt oly frekvenciákhoz is használhatók, melyek mintegy négyszeresei azoknak a frekvenciáknak, melyeket eddig az ismeretes mérőegyenirányítókhoz használtak. Kitűnt továbbá, hogy effajta gallium-, tallium- és indium-rendszereknél olyan tulajdonságú záróréteget kapunk , melyek a légköri behatásokkal szemben rendkívül érzéketlenek. Különösen lényeges azonban, hogy pl. effajta szárazegyenirányítókat nagy zárófeszültségeknél is használhatjuk. így 70 45 mm. lemezátmérőjű szárazegyenirányítóknál —40 volt eff. mellett a záróirányban folyó olyan áramot kaptunk, mely nem nagyobb, mint az eddig ismeretes szárazegyenirányítőknál —18 75 voltnál. Az ábra vázlatosan és erősen nagyított léptékben a találmány szerinti aszimmetriásan vezető rendszer példakénti kivitelét mutatja. Az esetleg bizmuttal 80 45 50 55 60 65