125252. lajstromszámú szabadalom • Eljárás rétegekből alkotott elektródarendszer felépítésére

135353. 3 Első hordozószervként kis, kerek aluminiumtárcsát választunk. Amelyeit vízszintes elrendezésű korongra helyezünk. A tárcsa rögzítéséhez középső nyílást alkalma-5 ztink, mely egy, azon a korongon levő pecekre illik, mely korong össze van kötve azzal a hajtószervvel, amellyel gyors forrásba hozhatjuk. Az alumininmtárcsára ezután szén vizes 10 szuszpenziójának mennyiségét visszük fel. A forgó tárcsa hőmérséklete közelítően 15—20 C°. A forgó mozgás következtében a szuszpenzió a felületen egyenletes helyzetben oszlik, szét. Amennyiben kívántat-15 nék, az első» vékony szénréteg felvitele után és miután a szuszpenziószer legnagyobbrészt elpárolgott, a megadott módon második, vékony szénréteget vihetünk fel. Az egész test megszárítása után, ami ki-20 váltképpen előnyösen egyszerűen a forgó mozgásnak további időtartamon át való folytatásával történhet, esetleg egyéb szárítószerek, pl. légáram vagy (pl. kemencében közelítően 500 C°-oh való) utánr 25 szárítás alkalmazásával, a szénréteggel ellátott tárcsát ugyancsak forgásba hozandó korongra helyezzük, amely oly fűtőszervekkel van ellátva, hogy a bevonandó felület hőmérséklete közelítően 300 C°. Az alu-80 miniumtáresa egyik oldalának felülete 16 cm2

és erne 0.1—0.2 g mennyiségű niegömlesztett szelént viszünk fel. A tárcsa forgómozgása következtében ä szelén a szénfelületen különösen egyenletesen és jól Ső tapadóan oszlik szét. Ezután a tárcsát 150 C° hőmérsékletig hűtjük,;, ami előnyösen úgy történhet, hogy egy következő tárcsát viszünk rá, mely ilyen hőmérsékletű. Ekkor közelítően 0.6 g szelént viszünk fel •40 és a felületen azonos módon szétosztjuk. A 300 és 150 G°-on történt, két említett kezelést azonban kombinálhatjuk is, még pedig akként, hogy a tárcsát előbb közelítően 300 G° hőmérsékletre hevítjük, majd •45 a centrifugális korongra visszük fel. Sőt, ez esetben a szükséges sizelénmennyiséget, amelyet magát 275 C°-tra hevítettünk, egyszerre visszük fel, mert e szelén egy részei a oentrifugálásnál a felületen szétterül, mi-5» közben a tárcsa hőmérséklete 300°-ról lassanként csökken. Az ekként szelénréteggel ellátott tárcsát ezután a további előállítási menetbe iktatjuk be, amikoris záróréteget" és egy másc-55 dik, jól vezető anyagból álló elektródát viszünk fel. A találmány szerinti eljárást itt - is alkalmazhatjuk, azonban a találmány megértése szempontjából ennek az előállítási eljárásnak további megmagyarázására szükség nincs. 60 Ámbár az imént ismertetett foganatosítási példában olyan hártyáról van sző„ melynek vastagsága közelítően 100 mikron,, mely célból közelítően 0.8 g szelénmenynyisqget vittünk fel összesen, nyilvánvaló, 65 hogy az ismertetett eljárással jóval vékonyabb rétegeket is felvihetünk. M^g a megadott felületű tárcsánál a már említett, ismert szétkenési eljárás esetében a felviendő szelénmennyiséggel általában1

70 4 g alá nem mentek, a találmány szerinti, ismertetett foganatosítási példa esetében csupán 0.8 g súlymennyiség elégségesnek bizonyult, sőt ezt a mennyiségét attól függően, hogy az eleíktródarendszert müy fel- 75 használásra szántuk, még tovább csökkenthetjük. Ez áz új eljárással kapott szelénréteg kiváló minőségére vezetendő vissza. Ha azt kívánjuk, hogy a szelénnek a találmány szerinti eljárás segélyével való 80 felvitele közben a szelénnek a vezető módosulatba való kristályosodása menjen végbe, úgy gondoskoduink arról, hogy ä szelén kristályosodási sebességére való tekintettel az ehhez való időt eléggé hosz- 85 szúra válasszuk. Az előbbi foganatosítási példa esetében ez a kristályosodás a forgó tárcsán 150 C°-on történő kezelés közben megy végbe. Mivel e hőmérsékleten a kristályosodás a gyors gyártási menet szemi- 90 pontjából túlságosan lassan megy végbe, ez esetben kívánatos, hogy a tárcsa hőmérsékletét 15—25°-íal magasabbra válasszuk, úgyhogy a kristályosodás folyamata néhány perc alatt lejátszódhat. Eset- 9& leg nincs szükség arra, hogy a forgómozlgást e folyamat közben fenntartsuk, mert e kristályosodási folyamatra csakis a tárcsa hőmérséklete irányadó. Az ismert eljárásoknál e folyamat sajtolási nyomás 1W alkalmazása közben ment végbe. A. szelénnek a találmány szerinti eljálrással való felvitelénél nagy tömörséget már a röpítőerők hatására érünk el. Ha azonban azt kívánjuk, hogy a szelén 105 felvitele közben kristályosodás ne menjen végbe, vagy közelítően ne menjen végbe, úgy a találmány szerinti eljárás erre is módot ad, mivel a felvitel a forgási sebesség és a hőmérséklet helyes megválasztása W esetén különösen gyorsan mehet végbteji Sztibadalnti igénypontok: 1» Eljárás rétegekből alkotott elektródarendszer felépítésére, kiváltképpen ily H& elektródarendszernél szelénelektródának