122468. lajstromszámú szabadalom • Részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer

í 133468. 3 Amp. volt. E körülmények között az egyenirányítási arány még 1 : 100 volt 15—20 Volt ellenfeszültségnél. A rajzon a találmány szerinti elektróda-5 rendszer foganatosítasi példájának vázlata látható: Az alumíniumból készült (1) hordozószerven a (3) szelénréteg jobb tapadásának elérése céljából (2) szénréteget rendelő zünk el. A (3) szelénrétegen helyezkedik el a zirkonoxidot tartalmazó (4) záróíéteg, míg maga a (3) szelénréteg zirkonkloridot tartalmaz. A (4) zárórétegre felfecskendezés révén a jó vezető (5)elektró-15 dát visszük fel, mely bizmut, kadmium és ón ötvözetéből áll (olvadáspont 103 C°). Szabadalmi igénypontok: 1. Részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer, amelyben különböző 20 vezetőképességű két elektródát, amelyek közül az egyik szelénelektróda, egymástól szigetelő közbenső réteg különít el, azzal jellemezve, hogy a közbenső réteget, részben, stabil, 25 szilárd, szigetelő vegyület alkotja, az az anyag pedig, mely ezt a vegyületet vegyi átalakulás révén szolgáltatni képes, adalékanyagul a szelénelektródában van jelen. 30 2. Az 1. igénypontban védett elektródarendszer foganatosítasi alakja, azzal jellemezve, hogy a szelén adalékanyagul azoknak a halogenideknek legalább egyikét ta talmazza, melyek 35 vízzel könnyen hidrolizálnak és ekkor szigetelő, stabil, szilárd fémoxidokat adnak, mimellett a közbenső réteg ezt az oxidot vagy oxidokat tartalmazza. 40 3. A 2. igénypontban védett elektródarendszer foganatosítasi alakja, azzal jellemezve, hogy a szelénbe adalékanyagul könnyen illékony halogenid van bekebelezve. 45 4. Az 1., 2. vagy 3. igénypontban védett elektródarendszer foganatosítasi alakja, azzal jellemezve, hogy az adalékanyagok j elenlevő súly mennyisége legfeljebb 10%, előnyösen 1%. 50 5. Az 1., 2., 3. vagy 4. igénypontban védett elektródarendszer előállítására való eljárás, azzal jellemezve, hogy a szelénelektróda anyagának előállításához a szelént megömiesztj ük, mire az adalékanyagot a szelénnel keverj ük 55, és a szelént az adalékanyaggal együtt tisztítás céljából desztilláljuk. 6. A 3. vagy 4. igénypontban védett elektródarendszer előállításáravalóeljárás, azzal jellemezve, hogy a szelén- 60' elektróda anyagának előállításához száraz gázáramot használunk fel, amelyet megömlesztett szelénen át vezetünk, mimellett ezt a gázáramot a szelénhez adandó, igen illékony 65 halogeniddel egészben vagy részben telítjük. 7. Az 1., 2., 3. vagy 4. igénypontban védett elektródarendszer előállítására való eljárás, illetve az 5. vagy 6.igény- 70» pontban védett eljárás foganatosítasi módja, azzal jellemezve, hogy a szelénhez halogenidet adunk, mire a szelént íémhordozószervre préseljük, mimellett a massza egyidejű íelheví- 76 tése közben ezt a masszát a hordozószervtől elnéző oldalán lúgosán reagálóanyaggal befolyásoljuk akként, hogy a hozzáadott halogenid szigetelő fémoxiddá alakul át, mely a szelénen 80> a záróhártyát alkotja. 8. A 7. igénypontban védett eljárás foganatosítasi ínódja, azzal jellemezve, hogy a líúgosan reagáló anyagot a szelénmasszán, a szelénnek a kris- 85 tályos módosulatba való átvezetéséhez szükséges felhevítése előtt vagy közben, vékony réteg alakjában viszszük fel, mimellett előnyös, ha ezt az anyagot a szelénmasszán jól kiterít- 90 hető oldószerben oldott állapotban visszük fel. 9. A 7. vagy 8. igénypontban védett eljárás foganatosítasi módja, azzal jellemezve, hogy lúgosán reagáló 95 anyagként nátronlúgnak magas forrpontú oldószerben, pl. glicerinben való oldatát használjuk. 10. A 7. igénypontban védett eljárás foganatosítasi módja, azzal jellemez- 10O ve, hogy lúgosán reagáló anyagként magas forrpontú szerves lúgot, pl. chinolint használunk. 1 rajzlap mellékletfel Felelős kiadó: dr. ladoméri Szmcrtuik István m. kir. szab. bíró. Pallas-nyomda, Budapest, V., Honvéd-u. 10. — Felelős: Győry Aladár igazgató.