121891. lajstromszámú szabadalom • Eljárás részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer előállítására
131891. keztében adódó csillapítással kapcsolatosan, nagy szerepet játszik. Hogy a tisztított szelénnek nagy vezetőképességet adjunk, a folyékony álla-5 potú szelénhez pl. bizmutjodidot adhatunk. Igen kedvező arány, ha adalékanyagul 1 súlyszázalék BiJ3 -ot alkalmazunk. A találmány szerinti eljárást még résztO letesebben egy elektródarendszer előállításának foganatosítási példája kapcsán magyarázzuk meg. Amorf szelént megolvasztunk és folyékony állapotában, 350 C° hőmérsékleten, 15 kb. 4 órán át légáramot vezetünk át. A vezetőképesség változását annak a körülménynek tulajdoníthatjuk, hogy a kereskedelmi szelénben mellékkeverékként jelenlevő anyagokat az átvezetett 20 levegő oxigénje révén előidézett oxidáció hatástalanná teszi. A tisztított, olvasztott szelénhez most 1 % BiJ3 -ot adunk és addig keverünk, míg a BiJ3 a szelénben finoman el nem 25 oszlott. Ezt a masszát a tapadási képesség fokozására foncsorozott sárgarézhordozószerven 0.1 mm vastagságig laposan szétkenjük. Az egészet ezután kemencébe 30 helyezzük és kb. 24 óráig vagy még jóval hosszabb ideig 200 C° hőmérsékletre hevítjük. E kezelés arra való, hogy a szelén a vezető, kristályos módosulatba menjen át. A szelénelektróda vezető-35 képessége ekkor jelentékenyen nagyobb, mint a szokásos módon előállított szelénelektródáké. A polisztirénből készült záróréteget benzenes oldatából vihetjük fel, ezután í0 pedig a pl. Wood-féle fém egy cseppjéből való ellenelektródát folyékony állapotban visszük fel. E cseppbe drótot helyezhetünk, hogy az ellenelektródához való csatlakozást lehetővé tehessük. 45 A szelént a vezető, kristályos módosulatba átvezető hevítés alkalmával az adalékanyag nagy ellenállású határréteget alkot. Az előállításnál magas, kb. 200 C° hőmérsékletet alkalmazunk, hogy a szelént 5» a vezető, kristályos módosulatba vezessük át. Emellett a szelén felületén elgőzölög, úgyhogy a hozzákeveredések a felületen helyezkednek, el. Ezek abban az esetben, ha a másodi-k lépésnél hozzá- 55 kevert adalétcok szigetelőanyagok, a szelénelektródán nagy ellenállású határréteget alkotnak, melynek tulajdonsága, hogy csökkenti a szelén ellenemisszióját, mely a szelén felfokozott vezetőképes- 60 sége következtében szintén fokozódik. Ez különösen egyenirányítóknál fontos, mert e hatás folytán az egyenirányítás! arány javul. A találmány szerinti eljárással az e& elektródarendszert tömeggyártásban is teljesen reprodukálható módon állíthatjuk elő. A találmány keretén belül az ismertetett példáktól eltérő foganatosítási mó- 70 dok is lehetségesek. Szabadalmi igénypontok: > • ' • 1. Eljárás oly részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer előállítására, melynek egyik elektródája 75 szelénből van, azzal jellemezve, hogy a kereskedelmi forgalomban kapható szelént gázáramnak a folyékony állapotú szelénen való átvezetésével tisztítjuk, majd a szelénhez vezetőképes- so séget fokozó anyagokat adunk, ezután a szelént hordozószervre viszszük, mire, hevítés révén, vezető, kristályos módosulatába vezeljük át. 2. Az 1. igénypont szerinti eljérés foga- gö natosítási módja, azzal jellemezve, hogy a folyékony szelént légáram átvezetésével tisztítjuk. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jel- 90 lemezve, hogy a folyékony szelénhez, célszerűen 1 súlyszázalék mennyiségű bizmutjodidot adunk. Felelős kiadó: dr, ladoméri Szmertnik István m. kir. szab. bíró. Pallas-nyomda, Budapest, V., Honvéd-u. 10. — Felelős: Gyó'ry Aladár Igazgató.
