118739. lajstromszámú szabadalom • Részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer
eloszlását és így a később képezendő vegyületeknek a szelénben való rendkívül finom eloszlását is biztosítjuk. A vezetőképességet valószínűleg éppen ez 5 az igen finom eloszlás nagy mértékben segíti elő. Olyan anyagok, melyek a szelénben teljesen vagy részben oldódnak és a szelénelektróda előállítási eljárásánál al-10 kalmazott magas hőmérsékleten a folyékony szelénben vegyületet alkotnak, pl. a réz és jód, a higany és jód, a bizmut és jód. A találmányt még részletesebben né-15 hány foganatosítási példája kapcsán magyarázzuk meg. A. Amorf szelént megolvasztunk és miközben kb. 300 C° hőmérsékleten tartjuk, e szelén 100 súlyrészéhez kb. 1 súly-20 rész sztannojodidot keverünk. A (SnJ2 )nak a szelénmasszában való, lehetőleg homogén diszpergálása után, mimellett a (SnJ2 )-nak kb. teljes mennyisége oldott alakba megy át, a masszát hűtjük. Ez-25 után a szelént kb. 200 C° hőmérsékletre való, elegendő ideig (a jelen esetben kb. 20 óráig) tartó hevítéssel a vezető, kristályos módosulatba vezetjük át. így olyan szelénmasszát kapunk, melynek 30 fajlagos ellenállása kb. 1100 Ohm-cm. Ha sztannojodid helyett sztannijodidot (SnJ4 ) alkalmazunk, ugyanezt a fajlagos ellenállást kapjuk. Hasonló módon az összes jodidokat 35 adagolhatjuk és a következő foganatosítási példában ismertetni fogjuk, hogy az egészen finoman eloszlott állapotú jodid vegytani reakció révén a szelénben miként képződik. 40 B. Amorf szelént tartályban olvasztunk, majd a szelénben 1.5 súlyszázalék bizmutot oldunk. Egy másik tartályban ugyan e szelénnek ugyanakkora mennyiségét olvasztjuk meg és ebben 3% jódot 45 oldunk. A két tartály tartalmát ezután egyesítjük és keverjük, amire a szelénben bizmutjodid (BiJ3 ) képződik, mely a szelénmasszában rendkívül finoman osz-50 lik el. Az elektródaanyagot folyékony állapotban fémhordozószerven, pl. sárgarézlemezen vagy pedig szénlemezen kb. 0.05 mm vastagságig szétkenjük és la-55 posra hengereljük vagy laposan szétkenjük. Ezután az így alkotott testet kemencében kb. 200 C° hőmérsékletre hevítjük. Az amorf szelén kb. 10 óra múlva a vezető, kristályos állapotba megy át. 60 A fajlagos ellenállás ekkor 600 Ohmcm-ig csökken. E kezelés közben a szelén az elektródafelületen elgőzölög, úgyhogy a bizmutjodid az érintkezőfelület tetején van. így tehát, mivel maga a bizmut- 65 jodid szigetelőanyag, a szelénen nagy ellenállású határréteg létesül, melyre ezután a polisztirénből való záróhártyát úgy visszük fel, hogy a benzolban való oldatát a kívánt vastagságig (1/u) ken- 70 jük fel. A nagyellenállású határréteg előnye, hogy a félvezető szelénelektródának a vezetőképesség fokozása révén növekedő emissziója ellen hat, úgyhogy a szelénelektróda nagy vezetőképességének 75 előnyét (még pedig felületegységenkénti nagyobb terhelhetőségét) érjük el, a nagy ellenáram, tehát rosszabb egyenirányítás hátrányát azonban elkerüljük. Emellett a határréteg oly vékony, hogy a rend- 80 szeren át való ellenállás említésreméltóan nem fokozódik. Jóvezető második elektródaként végül a zárórétegre vezetőt, pl. "Wood-féle fémet vagy ú. n. aranylakkot viszünk fel. 85 E foganatosítási példánál a szelénhez adalékul a bizmutjodid szigetelőanyagot keverjük. Azonban félvezető jodidokat, pl. oly rézjodürt (CuJ) is hozzátehetünk, mely valamivel több jódot tartalmaz, po mint amennyi a sztöchiometriai mennyiségnek megfelel. A szelénnek a vezető, kristályos módosulatba való átvitelét előidéző hőkezelés révén a felületen szelénréteg gőzölög el, úgyhogy a jóvezető 95 adalékok a határfelületen vannak és e jóvezető érintkezőfelület révén a zárórétegig homogén vezetőképességet kapunk. A szelénben jodidot képző egyes alkotó- 100 részek teljes vagy részleges oldásánál szem előtt kell tartanunk, hogy ennél az oldásnál többnyire szelénvegyület létesül. Például: bizmut a szelénnel bizmut- 105 szelenidet alkot és jód a szelénnel szelénjodiddá vegyül. Az egyesítésnél e vegyületekből bizmutjodid keletkezik, mely a szelénben igen finom eloszlású állapotban diszpergálva vagy oldva marad. 110 A szelénnek jóddal szelénjodiddá való vegyülése szintén a szelén vezetőképességét fokozza. így pl. maga a jódadalék, tehát szelénjodid létesülése 1000 Ohm-cm nagyságrendű fajlagos ellenállást ered- 115 ményezhet.
