117747. lajstromszámú szabadalom • Eljárás részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer előállítására

lyékony álliapotban felviszünk és laposra hengereljük, vagy pedig meleg vasalóval szétkenjük. Erre a szelénfelületre ezután a záróréteget visszük fel, ami a követke-5 zöcképen megy végbe: A szelénelektródát polisztirénnek gyorsan elgőzölgői pl. finom eloszlású csillámport tartalmazó benzénben való oldatába mártjuk és a fürdőből a zárandó feszült-10 ségtől függő, 0.1 és 10 mikron között ingadozó, kívánt zárórétegvastagságnak megfelelően többé vagy kevésibbé gyorsan vesszük ki. Az oldószier azonnal elgőzölög, míg a polisztirénből és a nagyobb laeeha-15 nikai szilárdságot eredményező bordázatot alkotó csillámporból álló záróréteg az elektródán visszamarad és ehhez szilárdan tapad. A szelénelektódát ezután kemencéibe lie-20 lyezzük és hosszabb ideig (2—24 óráig) kb. 200 C°, de mindenesetre a szelén olvadáspontján alnli hőmérsékleten tartjuk. Ennek a kezelésnek ez esetben három célja van: 25 1. A széléin az amorf módosulatból a vezető, kristályos módosulatba megy át. 2. Az elektródán esetleg visszamaradó benzénrészecskék, melyek a záróréteganyag mechanikai tulajdonságait rontják, 30 teljesein elgőzölögnek és 3. a polisztirén tovább átpolimerizálódik, ami már meglévő, kedvező záróréteganyiagtulajdonságait még inkább javítja. Általában az is lehetséges, hogy a 35 záróréteget a szelént a, vezető, kristályos módosulatba átvivő hevítés után vigyük fel. Ez esetben kívánatos a hevítési eljárás megisimétillése Ikb. 200 C° hőmérsékleten. 40 Erre a zárórétegre ezután a jóvezető. erősen emittáló anyagból, illetve ötvözetből való ellen elektródát visszük fel, ami úgy történhet, hogy folyékony fémet, pl. Wood-féle fémet ismert módon fecskende-45 zünk. Az elektródarendszer előállítását fordított sorrendben, is végezhetjük, azaz a záróréteget az ellenelektródára vihetjük fel. Fotócellák előállításánál ezt a. követ-50 kezőképen foganatosíthatjuk: Ellenelektr ód árnak jóvezető anyagot alkalmazunk, melynek azonban átlátszónak kell lennie. E célból vastagsága igen csekély legyen: ezért az ellenelektróda hor dozószerve célszerűen üvegből van. Az 55 ellienelektródára, mely pl. gőzfázisból üvegre csapatott ezüstből van, ezután a csillámos polisztirénzáróréteget visszük fel, mire e réteghez a félvezető (elektro-negatív) elektródát, esetleg hordozószervévei 60 együtt rögzítjük. A polisztiránrétegnek mind az olcktropozitív, mind az elektronegatív elektródán való szilárd tapadását azzal segítjük elő, hogy a záróteget magasabb hőmérsékletre hevítjük, amitől az 65 valamivel puhábbá válik. A rajzon a találmány szerinti eljárással készült elektródarendszer foganatosító si példájának vázlata látható. (1) a sárgarézből való hordozószerv, 70 mely egyúttal a (2) szelénelektróda villamos csatlakozását létesíti. A szelénen a csillámrészecskékből .alkotott, pontozással jelzett bordázatú (3) polisztirénzáróréteg van. A Wood-féle fémből való ellenelek- '75 tródát (4) jelzi. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás részaránytalan vezetőképességű elektródarendszer, főleg fotocella vagy szárazegyenirányító előállítására, 80 mely elektródarendszer az elektródaanyagtól függetlenül létesített, folyékony vagy oldott állapotban felvitt vagy 100 C° hőmérsékleten felüli hőmérséken lágyuló anyagból való záró- 85 réteget tartalmaz, azzal jellemezve, hogy a zárórétegnek előnyösen műgyantából való anyagához nagyobb mechanikai szilárdság céljából szilárd szigetelőanyagokat, kiváltképen por- 90 alakú szigetelőanyagokat adunk. 2. Az 1. igénypontban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a ziárórét-eg anyagához poralakú csillámot adunk. 95 3. Az 1. igénypontban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a záróréteg anyagához kvarcport adunk. 4. Az 1. igénypontban védett eljárás fo- IC ganaltosítási módja, azzal jellemezve, hogy a záróréteg anyagához alumininmoxid port adunk. 5. Az előző igénypontok bármelyikében védett eljárás foganatosítása módja, 1( azzal jellemezve, hogy ;a záróréteg anyagául polisztirént alkalmazunk. 1 iai/lap melléklettel.