113294. lajstromszámú szabadalom • Eljárás fotoelektromos cella előállítására

eltávolítása után céziumot viszünk a cellába. Ezen cézium gőzalakban vezethető be vagy pedig a cellában céziumvegyületből fejleszthető. A cézium többek között 5 a képződött oxidrétegen rakódik le. A cellát ezután körülbelül 200 C° hőmérsékletre hevítjük; ennél a hevítésnél a cella a vákuumszivattyúval nincs kapcsolatban. Eközben az ezüstoxid redukálódik és 10 ennek folyománya ezüstrészecskók és céziumoxidrészecskék keverékének képződése. Ezen keverék képződése alatt és után a fölös céziumot abba az állapotba hozzuk, hogy az a keverékbe behiatolhas-15 son. Ezen behatolás gyorsítható azzal, hogy a cellát pl. 100 C°-ra hevítjük, miközben a cellát megint nem szabad vákuumszivattyúra kapcsolni. Ilymodon kapjuk a (4) réteget, mely ezíistrészeeské-20 ket, céziumrészecskéket és céziumoxidrészecskéket kevert állapotban tartalmaz. A jelenlévő cézium egy része a (4) rétegen adszorbeálódik, úgy, hogy a vékony (5) céziumréteg létesül. 25 A fölös céziumot most már el kell távolítani, ami a (12) töltényben levő adalékanyaggal történik. E célból a cella alsó részét nagyfrekvenciájú mágneses mezőbe hozzuk, úgy, hogy a (12) fémtöltényben 30 váltóáramok indukálódnak, melyek a hüvelyt részben megömlesztik és a töltényben levő adalékanyagot elpárologtatják. Ez az adalék-anyag, mely, mint előbb említettük, ón vagy ólom lehet, a cella falán 35 a töltény környezetében vékony réteg alakjában rakódik le. A (13) ernyő megakadályozza azt, hogy az adalók-anyag a cella azon részébe hatoljon, amelyben a fotoelektromos elektróda van, vagy pedig 40 a lapításon rakódjék le. A fölös céziumot most már ezen vékony fémréteg leköti, miután az ón vagy az ólom a fölös céziummial ötvöződik. Ezen ötvözet képződése mjár szobahőmérsékleten bekövetkezik. 45 A (12) töltényben levő adalék-anyagnak nem kell mindenkor ónból vagy ólomból állnia. Máis olyan fémeket iis használhatunk, melyek a fényelektromos anyaggal ötvöződnek. Az ismert eljárások szerint 60 olyan kémiai vegyületeket, pl. ólomoxidot, is használhatunk, melyek a fotoelektromos anyaggal reagálni képesek. Szabadalmi igények: 1. A 107.369. sz. törzsszabadalomban vagy a 110.829. l.-sz. I. pó'tszabadalomban vé- 55 vett fotoelektromos cella előállítására való eljárás oly foganatosítási módja, amelynél a fotoelektromos anyaig fölös mennyiségét kiküszöböljük, azzal jellemezve, hogy azt az adalék-anyagot, me- 60 lyet ezen fölös mennyiség kiküszöbölésére alkalmazunk, a cellába oly állapotban visszük be, hogy az említett fölös mennyiséget lekötni nem képes és hogy az adalék-anyagot csak akkor 65 visszük át oly állapotba, amelyben a fölös mennyiség lekötése lehetséges, amikor a fotoelektromos cella elektródájának kémiai vegyületet és fotoelektromos anyag részecskéit tartalmazó 70 rétege már elkészült. 2. Az 1. igényben védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az adalék-anyagot a cellába úgy visszük be, hogy az el legyen különítve attól a 75 tértől, amelyben az említett réteg készül, majd pedig, ezen réteg elkészülte után, az elkülönítést eredményező elzárást szétromboljuk. 3. A 2. igényben védett eljárás foganato- 80 sítási módja, azzal jellemezve, hogy az adalék-anyagot a cellába pl. törékeny csúcsú üveggyöngybe zárva visszük és ezen gyöngy falát az említett réteg elkészülte után szétromboljuk. 85 4. A 2. igényben védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az adalék-anyagot fémtartályban visszük a cellába és ezt a fémtartályt a réteg elkészülte után előnyösen indukált 90 áramokkal történő hevítés útján nyitjuk. 5. Az 1., 2., 3. vagy 4. igényben védett eljárás foganatosítási alakja, azzal jeljellemezve, hogy az adalék-anyagot a 95 réteg elkészülte után, pl. elpárologtatás révén nagy felületre terítjük szét. 6. Az 5. igényben védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az adalékanyagot a cellába kompakt JQO test alakjában fűtőtest közelébe helyezzük és a réteg elkészülte uitán ezen fűtőtest segítségével elpárologtatjuk. 1 rajzlap melléklettel.