59275. lajstromszámú szabadalom • Eljárás tűzálló elektromosságot vezető formatestek előállítására

Megjelent 1913. évi április hó 24-én. MAGY. KIR. SZABADALMI WeBJ HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS 59275. szám. VH/g. OSZTÁLY. Eljárás tűzálló, elektromosságot vezető formatestek előállítására. GEBRÜDER SIEMENS & C° CÉG LICHTENBERGBEN. A bejelentés napja 1912 julius hó 6-ika. Elsőbbsége 1911 julius hó 20-ika. A találmánybeli eljárás két részre oszlik. Az eljárás első részében oly fórrnatesteket állítunk elő, melyek lényegükben Si CO-t és azonkívül szabad szenet, tartalmaznak. Siliciumot és szenet keverünk, miközben a a keverékhez valamely kötőanyagot, pl. kolofóniumot, vagy paraffint adhatunk annak plasztikussá tétele céljából és az egész masszát alakítjuk. A keveréket azután szénoxyd-, vagy szénsav - atmoszférában 1400—1500-nál hevítjük. A folyamat a következő formulával fejezhető ki: I II I II Si + CO + C = Si co + c Az eljárás második részében az így keletkezett formatestet 1600—1700°-nál, legcélszerűbben elektromos kemencében hevítjük. Ekkor a szabad szón vegyül a Si CO oxigénjével, CO alakjában eltávozik és egy lényegében sziliciumkarbidból álló formatest jön létre. Ezen reakciót a következő formulával fejezhető ki: I II I II Si CO + C = Si C + CO A szabad szén mennyiségét, mely az eljárás első része után a formatestben a Si CO mellett jelen van, úgy lehet megszabni, hogy az eljárás második részében foganatosított fölhevítés után se szénfölösleg, se Si CO ne maradjon többé, hanem hogy csak Si C keletkezzék. Az eljárás első részében azonban lehet több vagy kevesebb szabad szenet is fölhasználni úgy, hogy az eljárás második része után a C Si testben vagy még szabad szén, vagy szabad Si CO marad fönn, vagy a formatesthez már előre kész siliciumkarbidot (C Si) adunk hozzá. A kész test, melyet az eljárás második részében nyertünk, ekkor részben azon C Si-ből áll, melyet az eljárás első részében adtunk a masszához, részben pedig azon C Si-ből, mely csak az eljárás második részében képződött. Hasonló módon lehet az eljárás első részében más masszákat is hozzáadni, pl. agyagot, mely azután egyszersmind kötőanyag gyanánt is szolgál. Az eljárás első részére nézve jellemző a Si CO vegyület mellett szabad szén jelenléte. Ha az eljárás ezen részében nyert termék nem tartalmazna szabad szenet, akkor ezen formatest masszáját lehetne ugyan Si C-vé redukálni, ez azonban csak igen magas hőmérsékleteknél, kb. 2800°-nál sikerülne. Ily eljárások ismeretesek. A re-