Fogorvosi szemle, 2003 (96. évfolyam, 1-6. szám)
2003-10-01 / 5. szám
200 FOGORVOSI SZEMLE ■ 96. évf. 5. sz. 2003. P* TiO Cr —I---'---1---■----1--1----1--'----1---1----;---1----1— 20 40 60 80 100 120 140 ionporlasztási időtartam (perc) 5. ábra. Ti-Ti02 réteg felületén készített pozitív SIMS spektrum. A TiO mellett a felületi oxidrétegben többek között P, C, Fe és Cr szennyezőket találtunk. ra és szennyezőkre végeztük el (Ti+, TiO+ atomcsoport, Fe+, C+ és P+). A Ti+, TiO+-on kívül számottevő mennyiségben egyedül P+-t találtunk, ami az anodikus oxidáció során használt elektrolitból származik és az oxidréteg külső részében dúsul fel (5. ábra). A Ti02 réteg és a Ti alapfém közötti átmenetet a Ti+ és TiO+ ionok intenzitásának csökkenése jelzi. A mélységi elemeloszlás profilon ott található a Ti/Ti02 határfelülete, ahol a Ti+ és TiO+ ionok intenzitása a felületi Ti02 rétegben mérhető intenzitás 50%-a alatt van. A Ti alapfém és a Ti02 közötti átmenet elmosódását a minta felületének polírozatlansága fokozza. Az implantátum porlasztása során a Ti+ intenzitás csökkenése az oxigén, azaz az oxidréteg eltűnését jelzi. Fentiek alapján a Ti02 réteg általunk becsült vastagsága 120-150nm. A felületi réteg tömegspektrumán megjelenő további ionokat a 6., 7. ábra mutatja. ható be, hogy a felületi ionbombázás során a Ti02 rétegből az oxigén preferenciálisan porlódik [41, 49], Az ionporlasztás során a felületi anodikus oxidban nem találtunk Ti vagy TiO kötésű tartományokat. A SIMS vizsgálat során mélységi elemeloszlás profilt és tömegspektrumokat vettünk fel. (A mélységi profilon az ionhozamot a porlasztási időtartam, azaz a felülettől számított távolság függvényében ábrázoltuk [5. ábra]. Az ionporlasztási sebesség az általunk használt berendezésben Ti02-ra kb. 100nm/óra.) A mélységi elemanalízist a titán lemezek minősítő lapján szereplő adalékok-Megbeszélés A szervezetbe behelyezett titán implantátumok hoszszú távú viselkedése, ellenállása a korróziós hatásokkal szemben napjaink egyik fontos kérdése. Amennyiben az implantátumok intenzíven reakcióba lépnek a szövetekkel, akkor el kell azokat távolítani. Ez egy műtéti beavatkozást és pluszterhelést jelent a betegek számára. Ha sikerül az implantátumokat egy védőréteggel ún. passziválóréteggel „izolálni” a szervezettől, akkor, panaszmentesség esetén, eltávolításuk felesleges. cps 107 4®Ti + 106 105 23Na+ 27 Ah 46Ti+ 50Ti+ 40Ar+ 28Si + W 20 Ar++ 31 P + 16Q+ 52Crj 103-12 p + U 29Sj + 17OFf 44Si0+ 51V+ 102-I r 43Aicr 10' ■' Ti í1 ni N IMI 1 í ï 1J 64TiCT 56Fe+ 10 20 30 40 50 60 Budapest University of Technoloav and Economics. Department of Atomic Physics 70 80 m le 6. ábra. Ti-Ti02 rétegben 140 perc ionbombázás után készített pozitív SIMS spektrum. A szennyezők (C, Ar, Al, Na, Si, Cr, Fe) többségének a koncentrációja kisebb, mint a felületen.
