Fogorvosi szemle, 1995 (88. évfolyam, 1-12. szám)

1995-02-01 / 2. szám

titánimplantátumé. Ez az óriási árkülönbség a tantál nehéz megmunkálása, a fém magasabb alapanyagára és a jóval nagyobb sűrűsége miatt jött létre (a tantál kb. ötször nehezebb mint a titán). Mindezek miatt vissza kellett térni a titánimplantátumokhoz. A titánon az oxidkerámia réteg előállítása új problémát jelentett. Ez a technológia előzőleg nem volt ismert, csak az elméleti lehetősége volt adott. Módszer Az eljárás lényege a következő: A titánimplantátumok felületén kialakított oxidkerámia réteg, az alap­fém anyagából, elektrokémiai úton növesztett, hőkezeléssel módosított ré­teg. A réteg vastagsága függ a felületi tisztaságtól, az elektrolit anyagától, hőmérsékletétől és az alkalmazott feszültségforrástól. Az oxidkerámia réteg kialakítása az implantatum előállítása folyamán a technológiai sor befejező lépése. A réteg építését a munkadarab mechanikus és kémiai tisztítása előzi meg. A mechanikus tisztítás célja, hogy az implantátum felületét a fémforgácsoktól, a feltapadt szennyeződésektől megtisztítsuk. Az oxidkerámia bevonat kialakítására váró felület számos olyan, a „búik” anyaghoz gyengén kapcsolódó, tapadó anyagot tartalmazhat, melyek arról könnyedén leválaszthatók. A mechanikus tisztítás elsősorban az előző megmunkálás minősé­gének függvénye. Szerepe a megmunkálási technológia fejlesztésével csökkenthető. Az ily módon eltávolítható titánmennyiség 10 pg-mg/darab nagyságrendű. A mechanikus tisztítás­kor két fontos feladatot kell megoldani: 1. az implantátum megfogását és forgatását/mozga­­tását sztereomikroszkóp látóterében; 2. a felesleges anyagrészek eltávolítását. A megfogás­mozgatás céleszközt igényel. A sorják, forgácsok stb. eltávolítása méretben az implantátum­­hoz illeszkedő célszerszámokkal, illetve fúróval, dörzsárral, kefével történik. A kémiai tisztítás célja a szükséges nagy tisztaságú felület megvalósítása. Elsősorban a megmunkáláshoz alkalmazott vegyi anyagokat, a megmunkáló szerszámok okozta szennye­ződéseket távolítják el. Módszere mosószeres ultrahangos mosás, xilolos zsírtalanítás, aceto­­nos öblítés. Esetenként a megmunkáló szerszámok okozta szennyezések csak az implantátum felületi rétegével együttesen távolíthatók el. A megoldás a HF-HN03-tartalmú savkeverékben végzett maratás. Az oxidkerámia réteg kialakítását két lépésben valósítjuk meg. Mindkét lépésben anodikus oxidációt végzünk. Az anodikus oxidációhoz szükséges elektrolit dinátrium-hidrogén-foszfát vizes oldata. Ezután az implantátumok mosása (elektroliteltávolítás) és szárítása jön, majd 300 °C hőmérsékleten hőkezelést végzünk. A hőkezelést követően a teljes folyamatot megis­mételjük. Az anodikus oxidációk feszültsége az első lépésben 110-120 V, a második lépésben 100-110 V. A megadott feszültségtartományok biztosítják a jellegzetes aranysárga színt. A rétegépítés során, az anodikus oxidációt követő mosás és szárítás után darabonkénti mikroszkópos ellenőrzést alkalmazunk. Minden esetben foltmentes, homogén réteget kell találnunk. Az ismertetett eljárás alapja, tehát az elektrokémiai és a termikus oxidréteg-építés ismét­lése. Az eljárás szerinti anodikus oxidációnál a használt elektrolitból az implantátum felüle­tén képződő oxidrétegbe, a későbbi oxidkerámia rétegbe, hidrogén-foszfát- (HPO42-) és foszfát- (PO43-) anionok épülnek be, néhány %-os mennyiségben. Ez a hidrogén-foszfát-, illetve foszfáttartalom pedig, az ismert hidroxil-apatit, a ß-tri-kalcium-foszfát, valamint a szintén kristályos oxi-, és fluor-apatit, vagy a ß-wollastonit és ß-withlockit stb. bevonatok­hoz hasonlóan, a bevonat biokompatibilis tulajdonságait tovább javítja, és elősegíti a csont­integrációt. 74

Next

/
Oldalképek
Tartalom