Budapesti Műszaki Egyetem - rektori tanácsülések, 1986-1987
1987. június 15., 8. rektori tanácsülés
Kettő- és többrétegű nyomtatott huzalozások technológiáinak és gyártóberendezéseinek továbbfejlesztése /lm/ Megbizó: SzKI A kutatómunka során a Tanszék más tanszékek bevonásával a kettő- és többrétegű nyomtatott huzalozások technológiáit és egyes gyártóberendezéseit eredményesen fejlesztette. A kutatómunka az oktatást és az egyetem másirányu /pl. készülékfejlesztő/ kutató- és oktató-tevékenységét is elősegítette. A már korszerűtlen gépparkkal sikerült kidolgozni a hatrétegü nyomtatott huzalozások technológiáját. A chip carrier technológiát is időben, az iparilag fejlett országok iparát 1-1,5 évvel követően dolgozták ki. A felületi szereléstechnológia fejlesztését is időben megkezdték, részeredményeket tudnak felmutatni. Prototípus kísérleti darabok tervezése, vizsgálata és előállítása /Im/ Megbizó: ORION A munkák során a Megbizó néhány uj TV-készülékének és a gyártásához szükséges segédberendezéseinek megvalósításában nyújtottak segítséget. Tervekkel, vizsgálatokkal és szaktanácsadással a gazdaságos sorozatgyártást és a prototípusgyártást segítették elő. Célul tűzték ki, hogy a lehetőségekhez mérten igyekeznek a tőkés importból beszerzett alapanyagokat hazaival helyettesíteni. Ezt a feladatot gyakran vizsgálatok sorozatával, több éven át történő adatgyüjtéssel lehet megvalósítani. Elektronikus Eszkököz Tsz Elektronikus eszközök elméletének kutatása /Тк/ Folytatódott az uj vékonyoxidos aktiv eszközök /MISS, MISÉT/ kutatása. Kifejlesztették a vékony tunnel gate-oxidos MOS-FET tranzisztorok elméletét. Az igen vékony oxidrétegek minősítésére uj eljárást dolgoztak ki a felületi kilépési munka mérésére alapozva. A MISS elméletét a lavina-hatás figyelembevételével továbbfejlesztették . Folytatódott a félvezető lézerdiódák modellezésére irányuló kutatómunka. E témában kooperálnak a MÜFI-vel. Közösen dolgozták ki a mérési módszereket és a mérőberendezéseket lézerdiódák paramétereinek mérésére, és méréseket végeztek a MÜFI által gyártott lézerdiódákon . Az Ilmenaui Műszaki Főiskolával közösen végeztek vizsgálatokat MOS inverziós rétegek fizikájával kapcsolatban. Félvezetőeszközök hőelvezetési viszonyainak modellezése és identi. fikációja /Тк/ Folytatták azt a kutatómunkát, amelynek segítségével félvezető eszközök és integrált áramkörök hőelvezetési viszonyainak finom-feltérképezése lehetséges nem-destruktiv vizsgálati eljárás és ezt követő számitógépes feldolgozás segítségével. A mérési és identifikációs módszer alkalmas arra, hogy a hőelvezetési pálya anyagainak és keresztmetszeteinek térképét szolgáltassa. Ezen az utón tokozások termikus hibaanalizise és hőelvezetési szempontból optimalizált tokozások kialakítása lehetséges. 56
