202647. lajstromszámú szabadalom • Eljárás háromdimenzióban strukturált szilicium egykristály membránok kialakítására, valamint háromdimenzióban struktúrált szilícium egykristály membrán

5

HU 202 647 B

6

azzal jellemezve, hogy szilíciumszeleten a marást megállító réteget epitaxiális réteg növesztésével hozzuk létre.

9. Háromdimenzióban struktúráit szilícium egykristály membrán, előnyösen az 1-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárással előállítva, melynek egyetlen

kristálytömbből kialakított, összetartozó síkmembránja és szilíciumszeletből kialakított tartóteste van, azzal jellemezve, hogy a síkmembránnak (14) azzal kristálytanilag összefüggő, a síkmembránnal (14) 0-nál na- 5 gyobb és 180 foknál kisebb szöget bezáró térmembránja(i) 15 van(nak).

4