201628. lajstromszámú szabadalom • Eljárás egymástól kis távolságban lévő fém alakzatok hordozón, különösen félvezető hordozón történő kialakítására
9 HU 201628 B 10 j) Felpárologtatjuk a 9A, 9B fémréteget. k) Szükség szerint beötvözzük a 9A fémréteget. A találmány szerinti eljárás a példaképpen bemutatott kiviteli alakoktól eltérően is megvalósítható. így pl. az 1 hordozó nemcsak félvezető, hanem kerámia anyagú is lehet, a szigetelőrétegek eltávolítása nemcsak kémiai marással, hanem ion marással vagy porlasztással is történhet. SZABADALMI IGÉNYPONTOK 1. Eljárás egymástól kis távolságban lévő fém alakzatok hordozón, különösen félvezető hordozón történő kialakítására, amelynek során a hordozóra első fém alakzatot viszünk fel, amely első fém alakzatnak egy második fém alakzattal szomszédos oldalait kinyúló peremmel alakítjuk ki, majd a második fém alakzatot úgy hozzuk létre, hogy az első fém alakzattal ellátott hordozóra viszünk fel, azzal jellemezve, hogy a hordozóra (1) legalább egy szigetelőréteget (2, 2A) viszünk fel, a legalább egy szigetelőréteget (2, 2A) fotoreziszt réteg (3) alkalmazásával az első fém alakzatnak megfelelő helyeken eltávolítjuk és eközben önmagában ismert módon a megmaradó legalább egy szigetelőréteg (2, 2A) és/vagy az ezen lévő megmaradó fotoreziszt réteg (3) ferde oldalfelületét (4A, 4) hozzuk létre, az így kialakított struktúrára első fémréteget (5A, 5B) viszünk fel, majd a fotoreziszt réteget (3) a felette lévő első fémréteggel (5A) együtt eltávolítjuk, ezután a legalább egy szigetelőréteget (2, 2A) a második fém alakzatnak megfelelő helyeken eltávolítjuk és az igy kialakított struktúrára második fémréteget (9A, 9B) viszünk fel. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fotoreziszt réteg (3) és a felette lévő első fémréteg (5A) eltávolítása után a legalább egy szigetelőréteget (2, 2A) két lépésben úgy távolítjuk el, hogy az első lépésben anizotrop kémiai marást, a második lépésben pedig izotróp kémiai marást végzünk. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fotoreziszt réteg (3) és a felette lévő első fémréteg (5A) eltávolítása után a legalább egy szigetelőréteget (2) két lépésben úgy távolítjuk el, hogy az első lépésben anizotrop kémiai marást, a második lépésben pedig izotróp kémiai marást végzünk. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a legalább egy szigetelőréteget (2) az első fém alakzatnak megfelelő helyeken izotróp kémiai marással távolítjuk el. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 5. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a legalább egy szigetelőréteg (2) első fém alakzatnak megfelelő szelektív eltávolítása után a megmaradó fotoreziszt réteg (3) laterális méretét kémiai marással csökkentjük és/vagy a fotoreziszt réteget (3) hőkezeléssel összehúzatjuk. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fotoreziszt réteg (3) és a felette lévő első fémréteg (5A) eltávolítása után a megmaradó első fémréteget (5B) árammentes eljárással felvitt további fémréteggel (12) megvastagítjuk és egyben laterálisán kiszélesítjük, majd az így kialakított struktúrára visszük fel a második fémréteget (9A, 9B). (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 7. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a legalább egy szigetelőréteg (2) és a rajta lévő fotoreziszt réteg (3) az első fém alakzatnak megfelelő helyeken történő eltávolításakor a megmaradó szigetelőréteg (2) egyenes vagy ferde oldalfelületét (4A) és a fotoreziszt réteg (3) ferde oldalfelületét (4) hozzuk létre, és az így kialakított struktúrára az első fémréteget (5A, 5B) a legalább egy szigetelőréteg (2) teljes vastagságánál nagyobb, de a legalább egy szigetelőréteg (2) és a fotoreziszt réteg (3) együttes vastagságánál kisebb vastagságban viszszük fel. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 8. A 7. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fotoreziszt réteg (3) és a felette lévő első fémréteg (5A) eltávolítása után a struktúrára további szigetelőréteget (7) viszünk fel, majd a legalább egy szigetelőréteget (2) és a további szigetelőréteget (7) a második fém alakzatnak megfelelő helyeken együtt távolítjuk el. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 9. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a legalább egy szigetelőréteget (2, 2A) és a rajta lévő fotoreziszt réteget (3) az első fém alakzatnak megfelelő helyeken kémiai maratással távolítjuk el és eközben a megmaradó legalább egy szigetelőréteg (2, 2A) ferde oldalfelületét (4A) hozzuk létre, majd az így kialakított struktúrára az első fémréteget (5A, 5B) a legalább egy szigetelőréteg (2, 2A) teljes vastagságánál kisebb vastagságban visszük fel. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 10. Az 1-9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az első fémréteget (5A, 5B) a hordozóra (1) merőleges vagy ahhoz képest ferde irányban, a második fémréteget (9A, 9B) pedig a hordozóra (1) merőleges irányban visszük fel. (Elsőbbsége: 1985. 12. 18.) 11. Az 1-9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az első fémréteget (5A, 5B) hordozóra II) merőleges 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 7
