200028. lajstromszámú szabadalom • Eljárás ZnO-varisztorkerámia előállítására
7 HU 200028 B •1. t.&blázal 8 Adalék koncentráció (mol%) Minta száma Dkcb SI12O3 CoO Mim) Cr^03 NiO 1Í2Ü3 BaO AU20 (GL) (%) 10 0,6 0,6 0,4 0,3 0,25 1,0 0,01 0,01-11 11 0,6 0,6 0,4 0,7 0,25 1,0--15 12 0,6 1,4 0,1 0,7 0,25 1,0-13 9 0,6 1,4 0,4 0,3 0,25 1,0--0 8 0,6 1,4 0,4 0,3 0,55 1,0 “ + 1 1. példa 2. példa Az adalékokat a következő mol-arány ban 20 Az adalékok keverése a következő konkeverjük a 95,95 mol%-os ZnO-hoz: centrációkban történik: BÍ2O3 0,6 mol% ZnO BÍ2O3 99,55 mol% 0,6 mol% Sb2Ü3 1,0 mol% SL12 O3 1,4 mol% CoO 0,4 mol% 25 CoO 0,4 mol% MnO 0,3 mol% M11 O 0,3 mol% Cr-203 0,55 mol% C17 O3 0,55 mol% NiO 1,0 mol% NiO 1,0 mol% BaO 0,1 inol% BaO 0,1 mol% B2O3 0,1 mol% 30 B2O3 0,1 mol% A porkeveréket a szokásos keramikus eljárásokkal granulátummá dolgozzuk fel, majd 14 mm átmérőjű, 3,3 mm vastag hengerekké sajtoljuk össze szárazon. A szinterezés 1200 °C-on, 4 órás tartás- 35 idővel egy sűrű, finomszemosés AhOa-alaplemezen történik, amely a varisztortest felőli felületén tartalmazza a varisztorkerámia hatásos összetevőit és mentes a szinterezési folyamatban folyékony összetevőktől. A 630 °C-on végzett ezüstkontaktusozás után az így előállított varisztorok a következő jelleggörbe- és stabilitás-tulajdonságokkal rendelkeznek: U (1 mA) 400 V 45 A nyers minták az 1. példa szerinti módon készülnek. Szinterezési alaplemezként fajtaspecifikus anyagot használunk, amelyet sűrű, finomszemcsés» felületén a szinterezési folyamatban folyékony összetevőktől mentes lemeznek dolgozunk fel. Az érintkezőkkel ellátott varisztortestek a következő paraméterekkel rendelkeznek: U (1 mA) 500 V 40 jj 40 U(20 uA)/U( 1 mA) 0,90 stabilitás forrasztáskor (220 °C, 4 s, II folyasztószer) U forrasztva (20 mA ) 0,90 0C 40 (20 mA)/U(1 mA) 0,92 stabilitás forrasztáskor (220 °C, 4 s, I lyasztószer) Uforrasztva (20 juA) 0,92 U (1 mA) egyenterhelés-stabilitás (1,5 W, 2,5 h, 85 aU (20 ^A)-9% impulzus-stabilitás (100 x 500 < <J-1% U (1 mA) egyenterhelés-stabilitás (1,5 W, 2,5 h, 85 °C) aU (20 mA> -7% impulzus-stabilitás (100 x 500 A) aU (1 mA) +1% 6
