199039. lajstromszámú szabadalom • Rétegszerkezet MOS és CMOS févezető eszközök előállítására és eljárás az előállítás megvalósítására
13 HU 199039 B 14 fedetlen poliszilícium réteget (7) eredeti vastagságának célszerűen 1/4 részéig elvékonyitjuk, végül pedig az elvékonyitott poliszilicium réteget (7d) a visszamarás (10) helyén termikus oxidáció útján teljes mélységében átoxidáljuk. 6. A 4. vagy 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fedetlen poliszilícium réteget (7) teljes mértékben eltávolítjuk, majd a szilicium alapszelet (1) teljes felületére az első poliszilicium réteg (7) vastagságának célszerűen 1/4 részét kitevő vastagságú második amorf- vagy poliszilicium réteget (20) választunk le, majd ezt a második amorf- vagy poliszilícium réteget (20) a 15 source elektródák (16, 16a), a drain elekti-ódák (15, 15a) és a gate elektródák (13, 13a) első poliszilícium rétegből (7) lévő, szilicium -oxid réteggel (8) és szilícium-nitrid réteggel (9) fedett felületeiről önmagában ismert striping eljárás, pl. fotoreziszt, poliimid vagy alumínium közbenső réteg segítségével eltávolítjuk, végül pedig a megmaradó második amorf- vagy poliszilícium réteget (20) termikus oxidáció útján teljes mélységében átoxidáljuk. 7. A 4-6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a source tartományokat (12b, 12d) és a drain tartományokat (12a, 12c) a poliszilícium- réteg (7) teljes mélységű átoxidálása során alkalmazott termikus oxidáció közben a megmaradó és a drain elektródákat (15, 15a), valamint a source elektródákat (16, 16a) alkotó adalékolt poliszilíciumból, mint diffúziós forrásból alakítjuk ki. 8. A 4-7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a gate illesztő tartományok (14, 14a) létrehozásához a gate elektródák (13, 13a) helyének és méretének kijelölése után a gate elektródák (13, 13a) és a source elektródák (16, 16a), valamint a drain elektródák (15, 15a) között az első poliszilicium réteget (7) elvékonyitjuk vagy eltávolítjuk, majd a megmaradó szilicium-oxid rétegen (8) és poliszilicium rétegen 5 (7), vagy csak a szilícium-dioxid rétegen (8) ál a szilicium alapszeletre (1) a Bource tartomány (12b, 12d) és a drain tartomány (12a, 12c) adalékjával azonos típusú adalékot implantálunk olyan mértékben, hogy az ily mó- 10 dón létrejövő gate illesztő tartomány (14, 14a) rétegellenállása 100 Ohm/a értéknél kisebb legyen, végül pedig ezen tartományok felett az amorf- vagy poliszilicium rétegből (7) annak teljes mélységű átoxidálásával szigetelő oxidréteget (11a, 11b) hozunk létre. 9. A 4. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy kétszintes összeköttetésű eszközöknél az n csatornás tranzisztorok n tipusra adalékolt poliszilicium elektródáinak 20 (16, 15, 13) és a p csatornás tranzisztorok p típusúra adalékolt poliszilícium elektródéinak (16a, 15a, 13a) első szintű összekötését második poliszilicium réteggel (20) valósítjuk meg oly módon, hogy a poliszilicium elektródákhoz 25 (16, 16a, 15, 15a, 13, 13a) a szigetelő oxldrétegen (11a, 11b) át nyitott kontaktus ablakokba (17) mind az n, mind a p típusú szilíciummal hőkezelés után szilicidet alkotó, ezáltal Ohmos kontaktust képező közbenső 30 fémréteget (161, 161a, 151, 151a, 131, 131a), pl. platinát, titánt, vagy tantál, volfrara és molibdén csoport valamely elemét viszünk fel, végül pedig az egész szelet felületére a közbenső fémrétegen (161, 161a, 151, 151a, 131, 35 131a) át a poliszilícium elektródákkal (16,- 16a, 15, 15a, 13, 13a) kontaktust alkotó, kisebb, mint 100 Ohra/rétegellenállású poliszilícium réteget (20) viszünk fel, amelyből öszszekötó hálózatot (20a) és az azt körülvevő 40 és beágyazó környezeti oxidréteget (20b) a’akítunk ki. Kiadja az Országos Találmányi Hivatal, Budapest - A kiadásért felel: Himer Zoltán osztályvezető R 4891 - KJK 90.2641.66-13-2 Alföldi Nyomda Debrecen - Felelős vezető: Benkő István vezérigazgató 9
