195705. lajstromszámú szabadalom • Polietilén-tereftalát dielektrikumú villamos kondenzátor, különösen forrasztható chip-alkatrészként való alkalmazásra és eljárás annak előállítására
1 I 95 705 2 A10. ábra diagramja a tau 5 veszteségi tényező javulását mutatja (függőleges tengelyen) a hőkezelés hőmérsékletének függvényében. A keresztekkel jelölt értékek a kiindulási kondenzátorban belülről számítva az 5. helyen található anyakondenzátorra vonatkoznak, míg a négyszögek, háromszögek, illetve körök a 7., 8. illetve 9. helyen levő anyakondenzátorok értékei. A III hőmérséklet-tartomány a hőkezelés nélküli vagy csak kis mértékben hőkezelt kondenzátorokkal szemben a veszteség! tényező 4-ről 3-ra vagy ez alá csökken. Szabadalmi igénypontok 1. Villamos kondenzátor, mely legalább egy oldalon fegyverzetkeni lemréteggeí ellátott dielektrikum rétegekből áll, amely dielektrikum rétegek részben kristályosított és előzsugorított policlilén-tereftalátból vannak, a fegyverzetek az ellenpólus szerint váltakozva a kondenzátor test homlokfelülcteire felvitt, előnyösen fémszórással felvitt fémrátétekkel villamosán össze vannak kötve, és a dielektrikum rétegek egy tömbbé vannak rétegéivé, vagy egy laposra préselt tekerccsé vannak alakítva, azzal jellemezve, hogy a polietilén-tere Halálból levő dielektrikum rétegek (3, 4) kristályosítási foka legalább 50%-os, előnyösen legalább 55%-os az olvadáspont entalpiájának meghatározására szolgáló differenciál-termoanalízissel mérve. 2. Az 1. igénypont szerinti villamos kondenzátor, azzal jellemezve, hogy nyomtatott áramköii lapra 10 s idő alatt 2ó0°C hőmérsékletű forraszanyaggal rögzithe>tő esip-alkatrész.ként van kialakítva. 3. Kijárás az 1. vagy 2. igénypont szerinti kondenzátor előállítására, amelynek során részben kristályosított polietilén-lereflalátból levő, legalább egyik oldalán felnézett dielektrikum rétegekből tekercs alakú kondenzátor testet állítunk elő, amelyet ezután önmagában ismert módon laposra préselt tekerccsé alakítunk, és előzsugorítjuk, majd a homlokfelületekre a dielektrikum rétegeken levő fegyverzetek váltakozva történő csatlakoztatásához fémrátéteket viszünk fel, azzal jellemezve, bogy a fémrátétekkel (14, 15) ellátott lapos tekercses kondenzátor testet (9) járulékos hőkezelésnek vetjük alá; amelynek során a hőmérsékletet szobahőmérsékletről 200 - 250°C véghőmérsékletre 1-5 órán keresztül növeljük, majd a véghőmérsékletet 1-65 órán keresztül fenntartjuk azzal, hogy a hőntartás ideje a véghőmérséklettel fordítottan arányos, cs így a kívánt, legalább 50%-os kristályosodási mértéket létrehozzuk. 4. Kijárás az I. vagy 2. igénypont szerinti kondenzátor előállítására, amelynek során legalább egyik oldalán lemezeit polictilén-lcreftalál szalagokat, előnyösen oldalt hullámosítva, egy dobra kiindulási kondenzátorrá rétegelünk, majd a kiindulási kondenzátort a rétegek síkjára merőlegesen, a kívánt kondenzátorokká választjuk szét, miközben adott esetben egy adott szánni,legalább egy anyakondenzátort alkotó dielektrikum rétegre benső réteget, majd erre ismét, a következő anyakondenzátornak a kapacitás sz.cmprmtjáhól hatásos dielektrikum rétegeit és fegyverzeteit visszük fel, és az. így kialakított kiindulási kondenzátor homloklapjait érintkező réteggel látjuk el. ezután még a dobon mintegy 150°C-os hőkezelés közben elő zsugorít ássál a rögzítést létrehozzuk, és csak ezután végezzük a kívánt kondenzátorokká történő szétválasztást a közbenső rétegeknél és az azokra merőleges irányban, azzal jellemezve, hogy a leválasztott egyes kondenzátor testeket (7,8) további hőkezelésnek vetjük alá, amelynek során a hőmérsékletet szobahőmérsékletről 200 - 250°C véghőmérsékletre 1 - 5 órán keresztül növeljük. majd a véghőmérsékletet 1 - 65 órán keresztül fenntartjuk azzal, hogy a hőntartás ideje a véghőmérséklettel fordítottan arányos, és így a kívánt ~ legalább 50/í-os kristályosítási mértéket létrehozza. 5. A 3. vagy 4. igénypont szerinti eljáráis, azzal jellemezve, hogy a hőkezelést semleges védőgázban (nitrogén, argon, hélium) vagy vákuumban végezzük. ■'•A3 - 5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a hőkezelés közben a hőntartás ideje 2 óra, és a véghőmérséklet 240°C, amely alatt 50%nál nagyobb kristályosítási fokot hozunk létre. 5 10 15 20 25 30 35 40
