195036. lajstromszámú szabadalom • Bipoláris integrált áramkörben alkalmazható RNP tranzisztor és eljárás ennek előállítására

(19) HU MAGYAR

népköztársaság

országos

TALÁLMÁNYI

HIVATAL

SZABADALMI

LEÍRÁS

(11) (13)

195036 B

SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY

(22) A bejelentés napja: 84.05.30. (21) 2083/84 (51) Int.Cl4

H01 L 21/72 29/72

(41) (42) A közzététel napja: 1987.04.28

^osTaláim Szabadalmi Tár. ' Tulajdona,

(45) Megjelent: 1989.02.10.

(72) Feltalálók: (71) Bejelentő:

dr.BALOGH Béla, 18%, dr.MOTÁL György, Mikroelektronikai Vállalat, Budapest

18%, GYENES Gábor, 17%, MÉHN Márton,

17%, BOZS1K Károly, 15%, Szentendre, GERGELY István, 15%, Budapest

(54) BIPOLÁRIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRBEN ALKALMAZHATÓ PNP TRANZISZTOR ÉS ELJÁRÁS ENNEK ELŐÁLLÍTÁSÁRA

(57) KIVONAT

A találmány tárgya bipoláris integrált áramkörben alkalmazható PNP tranzisztor és eljárás ennek előállítására.

A találmány szerinti PNP tranzisztor P vezetési típusú egykristályos szilícium álaplemezre ( 1 ) növesztett N vezetési típusú epitaxiális rétegben (3) van kialakítva, az epitaxiális rétegben (3) P vezetési típusú kollektorzónája (6/a), a kollektorzónában (6/a) N vezetési típusú báziszónája (7/a) és P vezetési típusú kollektorkontaktus-zónája (4/e), a báziszónában (7/a) P vezetési típusú emitterzónája (4/d) és N vezetési típusú báziskontaktus-zónája (5/c) van. Lényege, hogy a tranzisztornak az alaplemezbe (1) és az epitaxiális rétegbe (3) benyúló, a kollektorzóna (6/a) alatt elhelyezkedő, N vezetési típusú eltemetett zónája (2) van, valamint, hogy a kollektorzóna (6/a) rétegellenállása 500—1500 ohm/ /□, a báziszóna (7/a) rétegellenállása 100— —150 ohm/D, az emitterzóna (4/d) és a kollektorkontaktus-zóna (4/e) rétegellenállása pedig 60—120 ohm/D, továbbá a bázis-kollektor átmenetnél (Ju>) a bázisadalék koncentrációgradiens legalább egy nagyságrenddel nagyobb, mint a kollektoradalék koncentrációgradiense.

Az előállítási eljárás lényege, hogy az epi taxiális réteg (3) növesztését megelőzően ön magában ismert módon, diffúzióval vagy ionimplantációval alakítjuk ki az eltemetett zónát (2), és a kollektorzónát (6/a) az eltemetett zóna (2) fölött alakítjuk ki, előnyösen alumí niumdiífúzióval.