195035. lajstromszámú szabadalom • Széles áramtartományban alkalmazható PNP típusú laterális és szubsztrát tranzisztor, valamint eljárás ezek előállítására
195035 lemezre (1) növesztett N vezetési típusú epitaxiális rétegben (3) van kialakítva és amelynek az epitaxiális rétegben (3) P vezetési típusú, 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású emitterzónája (4/a), az emitterzónához (4/a) képest oldalsó elrendezésben P vezetési típusú, 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású kollektorzónája (4/b) és N vezetési típusú báziskontaktus-zónája (5/a), továbbá az alaplemezbe (1) és az epitaxiális rétegbe (3) benyúló, az emitterzóna (4/a), a kollektorzóna (4/b) és a báziskontaktus-zóna (5/a) alatt elhelyezkedő, N vezetési típusú eltemetett zónája (2) van, azzal jellemezve, hogy az emitterzóna (4/a) közepén elhelyezkedő, az emitterzóna (4/a) felületének legalább 60%-át kitevő részén, legfeljebb az emitterzóna (4/a) mélységének felületközeli harmadára, célszerűen 0,5 pm-nyire kiterjedő, P vezetési típusú, 20—120 ohm/D rétegellenállású dúsító zóna (6/a) van szuperponálva az emitterzónára (4/a). 2.) Eljárás az 1. igénypont szerinti laterális PNP tranzisztor előállítására, amelynek során a P típusú szilícium alaplemez (1) felületén diffúzióval alakítjuk ki az N típusú eltemetett zónát (2), ezután az alaplemez (1) felületére növesztjük az N típusú epitaxiális réteget (3), majd az epitaxiális rétegben (3) diffúzióval vagy ionimplantációval képezzük a 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású, P típusú emitterzónát (4/a), a 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású P típusú kollektorzónát (4/b), és az N típusú báziskontaktus-zónát (5/a), azzal jellemezve, hogy az emitterzóna (4/a) és a kollektorzóna (4/b) kialakítása után az emitterzóna (4/a) középső részén, az emitterzóna (4/a) felületének legalább 60%-ára kiterjedően, önmagában ismert módon, diffúzi-7 óval vagy ionimplantációval hozzuk létre a célszerűen 0,5 pm vastagságú, legfeljebb az emitterzóna (4/a) vastagságának egyharmadáig lenyúló, 20—120 ohm/D rétegellenál- 5 lású dúsító zónát (6/a). 3. ) Bipoláris integrált áramkörben alkalmazható szubsztrát tranzisztor, amely P vezetési típusú egykristályos szilícium alaplemezre (1) növesztett N vezetési típusú epi-10 taxiális rétegben (3) van kialakítva és amelynek az epitaxiális rétegében (3) P vezetési típusú, 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegelienállású emitterzónája (4/c) és N vezetési típusú báziskontaktus-zónája (5/b) 15 van, azzal jellemezve, hogy az emitterzóna (4/c) közepén elhelyezkedő, az emitterzóna (4/c) felületének legalább 60%-át kitevő részén, legfeljebb az emitterzóna (4/c) mélységének felületközeli harmadára, célszerűen 20 0,5 pm-nyire kiterjedő, P vezetési típusú, 20— 120 ohm/D rétegellenállású dúsító zóna (6/b) van szuperponálva az emitterzónára (4/c). 4. ) Eljárás a 3. igénypont szerinti szubszt- 25 rát PNP tranzisztor előállítására, amelynek során a P típusú szilícium alaplemez fi) felületére növesztjük az N típusú epitaxiális réteget (3), majd az epitaxiális rétegben (3) diffúzióval vagy ionimplantációval képezzük 30 a 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású, P típusú emitterzónát (4/c) és az N típusú báziskontaktus-zónát (5/b), azzal jellemezve, hogy az emitterzóna (4/c) kialakítása után, az emitterzóna (4/c) közép- 35 ső részén, az emitterzóna (4/c) felületének legalább 60%-ára kiterjedően, önmagában ismert módon, diffúzióval vagy ionimplantációval hozzuk létre a célszerűen 0,5 pm vastagságú, legfeljebb az emitterzóna (4/c) vastag- 40 ságának egyharmadáig lenyúló, 20—120 ohm/ /D rétegellenállású dúsító zónát (6/b). 8 3 lap rajz, 6 ábra 6
