192396. lajstromszámú szabadalom • Szelektíven maratható rétegrendszer ellenálláshálózatok előállítására
1 2 192.396 együtthatója < 50.1 O'6 K1. Száz órán át 300 °C-on tartva a rétegrendszer AR/R < 0,4% öregedést mutat. 2. példa Az 1. példában megadott rétegre a következő rétegsorozatot hordjuk fel. Az első ellenállásréteg, amely érintkezik a hordozóval, alapösszetétele Cr (65 atom%) Si (35 atom%) és több mint 47 atom% oxigénnel van dúsítva olymódon, hogy a felületi ellenállás értéke 30 nm rétegvastagság mellett > 2 M ohm/q. A második réteg, amely ellenállásrétegként van kialakítva, alapösszetétele Cr (38 atom%) Si (60 atom%), W (2 atom%) és 37 atom% oxigénnel van dúsítva. A réteg 40 nm vastag. A harmadik réteg, amelyik ugyancsak ellenállásrétegként van kialakítva, alapösszetétele azonos az első rétegével, A réteg vastagsága 20 nm és nem tartalmaz oxigént. A negyedik réteg passzíváid rétegként van kialakítva. Alapösszetételében azonos a második réteggel és 45 atom% oxigénnel van dúsítva, hogy felületi ellenállása 40 nm rétegvastagság mellett nagyobb legyen , műit 2 M ohm/q. A rétegrendszer az 1. példában megadotthoz hasonló módon szelektíven maratjuk. A legfelső és a legkisebb ellenállású ellenállásréteget (harmadik réteg) teljes egészében lefedi a passziváló réteg (negyedik réteg). A harmadik réteg hozzávezetéseinek kialakítása céljából a passziváló rétegbe érintkező ablakok 5 vannak maratva. Ezt követően történik a szokásos hőkezelés. A második és harmadik réteg ellenállásai 1 k ohm/q, iÜ. 80 ohm/q értékűek és hőmérsékleti együtthatójuk kisebb, mint 50.10 ° K’*. Az 1. példában megadott _ hőntartás után a nagy ellenállású ellenállásréteg öregedése AR/R < 0,2%, míg a kisellenállású ellenállásréteg öregedése AR/R < 0,5% értékű. Szabadalmi igénypontok 15 1. Szelektíven maratható rétegrendszer ellenálláshálózatok előállításához, amely legalább kettő, Cr-Si alapanyagot és oxigént, adott esetben nehézfém adalékot tartalmazó egyetlen hordozóra felvitt vékony réteget tartalmaz, azzal jellemezve, hogy a 20 rétegek oxigéntartalma legfeljebb 66 atom%, továbbá két szomszédos réteg, Si, illetve Cr tartalma legalább 10atom%-kal különbözik. 2. Az 1. igénypont szerinti szelektíven maratható rétegrendszer, azzal jellemezve, hogy szomszédos rétegeinek Cr-Si atomaránya (65 + 10) / (35 25 ± 10) és (30 ± 10) / (70 ± 10) és mindegyik réteg legalább 10 nm vastag. rajz nélkül Kiadja: Országos Találmányi Hivatal Felelős kiadó Himcr Zoltán KÓDEX 3
