192180. lajstromszámú szabadalom • Mikrohullámú szimmetrizáló transzformátor keverőkhöz és modulátorokhoz

1 192 180 2 sen komplemens kivitelek következménye. A talál­mány szerinti szimmetrizáló transzformátor műkö­dése abban áll, hogy 8 bemenő impedanciájú (Z0) aszimmetrikus bemenetről a rádiófrekvenciás jelet teljes egészében 7 terhelés kimenő impedanciájú szimmetrikus kimenetre továbbítja, amely 7 terhe­lés kimenő impedanciája közel azonos RL impedan­cia értékével, avagy pedig közel RL/2 kimenő impe­danciájú aszimmetrikus kimenetekből képzett im­pedanciával, ahol is a jelek amplitúdói egyformák és ellentétes fázisúak, míg az átviteli sáv a lehető legszélesebb, és a kimeneti és bemeneti pontok kö­zött az illesztés a lehető legjobb. A találmány szerinti szimmetrizáló transzformá­tor például vékonyréteg technológiával valósítható meg, amely alkalmas hibrid integrált áramkörök előállításához. A 3 hordozó 0,5-1,5 mm vastagságú alumíniumoxid (A1203). A szimmetrizáló transz­formátor hullámvezetőit elszigetelő felső 4 hordozó olyan dielektrikumból készül, amelynek dielektro­­mos állandója közel azonos az alsó 3 hordozó di­­elektromos állandójával, míg vastagsága az alsó 3 hordozó vastagságának körülbelül egyötöde. A fel­ső 4 hordozó vastagsága a hullámvezetők diszperzi­ós tulajdonságainak megkívánt kompenzálási ará­nyától függ. A találmány szerinti szimmetrizáló transzformá­tor további megvalósítási lehetőségét a monolitikus technológia adja, amely 0,5 mm-nél kisebb vastag­ságú gallium arzenid (GaAs) félvezető 3 hordozón alakítható ki. A felső 4 hordozó dielektromos réte­ge, amely a hullámvezetőket elválasztja egymástól, szilikonnitridből (Si3N4), amelynek vastagsága kö­rülbelül az alsó 3 hordozó vastagságának egyötöde. A találmány szerinti szimmetrizáló transzformátor ily módon való kivitelezése különösen kedvező 8 GHz feletti mikrohullámú tartományokban. A keresztmetszeti méretek, amelyek általában az egyes hullámvezetők egyes szakaszaira különbözők és különböznek az egyes részek meghatározott szegmensei tekintetében is, a megkívánt sávszéles­ségi tulajdonságoktól függenek a feltételezett tipi­kus impedanciák függvényében, így például 50 ohm-os bemeneti és 100 ohm-os terhelő impe­dancia esetében a találmány szerinti szimmetrizáló transzformátor kialakítása nem okoz megvalósítási problémát és technológiai folyamatok tekintetében jelentős pontatlanságokat is megenged. Említésre méltó az a tény is, hogy a találmány szerinti szim­metrizáló transzformátor megvalósítása nem ütkö­zik akadályokba olyan keresztmetszeti méretek ese­tében, amely más típusú szimmetrizáló transzfor­mátorok egyes részeinél már előfordultak, mimel­­lett bizonyos fokú szabadság van a felső hordozó anyagának és vastagságának kiválasztása tekinte­tében, amely lehetővé teszi az elvárt fázissebesség­arány megkívánt kompenzációját páros és páratlan módusú gerjesztő hullámok esetében, beleértve a teljes kompenzációt. Ennek következtében a talál­mány szerinti szimmetrizáló transzformátor kiala­kítása technológiailag nem ütközik akadályokba, mivel a sebességarány korrigálására szolgáló műve­letek elmaradnak. A találmány szerinti szimmetrizáló transzformá­tor 180°-os teljesítményosztóként is alkalmazható, és második szimmetrizáló transzformátorral, vala­mint félvezető diódákból kialakitott négyessel együttműködve mint kétszeresen szimmetrikus ke­verő vagy modulátor. A fenti felhasználás nem meríti ki a találmány szerinti szimmetrizáló transz­formátor által létrehozott alkalmazási lehetősége­ken Igen előnyösek a tulajdonságai a sávszélesség tekintetében, mely még három oktáv értéket is meg­haladhat. Ezen túlmenően az is érdemes a megemlí­tésre, hogy a találmány szerinti szimmetrizáló transzformátor rétegelt szerkezete lehetővé teszi az alsó oldalon a fémezett filmcsík zavartalan alkal­mazását, amely előnyösen megvalósítható mind az alumíniumoxid hordozót alkalmazó vékonyréteg technológia, mind a gallium arzenid félszigetelőt és szilíciumnitrid réteget felhasználó monolitikus technológia esetében. A monolitikus technológia alkalmazásával lehetővé válik, hogy szelektív epita­­xia vagy ion implantáció segítségével a félvezető határrétegeket közvetlenül a szimmetrizáló transz­formátorhoz alkalmazott hordozórétegen alakít­sák ki, és ily módon például monolitikus keverő le­lehet kialakítható. \ találmány szerinti szimmetrizáló transzformá­tor 1-18 GHz tartományban alkalmazható, vagyis a mikrosztrip vonalak esetében széleskörűen elter­jedt tartományban. Az S frekvenciatartomány alat­ti frekvenciák esetében használhatósága elmarad a koncentrált kivitelű, ferritmagokat alkalmazó szimmetrizáló transzformátorokhoz képest, míg a 18 GHz frekvenciák fölötti tartományokban a wa­ve guide technikával való kombinálhatósága tekin­tetében előnyösebb a fin-line és slot-line techniká­val kialakított szimmetrizáló transzformátorokhoz viszonyítva. Szabadalmi igénypontok 1. Mikrohullámú szimmetrizáló transzformátor TEM módusú tápvonalat alkalmazó keverőkhöz és modulátorokhoz, amelynek két másodrendű reak­­tancia része van, amelynek hossza körülbelül rádió­­frekvenciás jel hullámhosszának negyedével azonos, továbbá amely aszimmetrikus bemenete és szim­metrikus kimenete van, azzal jellemezve, hogy mind­egyik résznek (I, II) két mikrosztrip tápvonal jellegű vezetősávja van, amelyek alsó rétegelt hordozó (3) alsó fémezése (0) által képzett földsik felett vannak elrendezve, továbbá a vezetők (1,2) egyike az alsó hordozó felső oldalán, míg a másik vezető (1\ 2’) e felett és tőle felső rétegelt hordozó (4) anyagának tömege által elválasztva és a felső hordozó (4) felül­­ső oldalán van, a vezetők egy párja - a szakaszok bármelyikéből - képezi a bemeneti vezetők (1,2) párját, amelyek egymáshoz két végükkel (12, 21) csatlakoznak, míg a fennmaradó két vég (11) egyi­ke a bemenetre (10) csatlakozik és a másik vég (22) rádiófrekvenciásán reflektáló elemmel van lezárva, továbbá a fennmaradó vezetők (1\ 2’) második párjának - amely a kimeneti vezetők párja - két, részenként egy-egy vége (12’, 21’) képezi a kimeneti lezárás párját, míg a kimeneti vezetőpár fennmara­dó végeinek (22’, 11’) mindegyike rádiófrekvenciá­sán reflektáló elemmel van lezárva. 2. Az 1. igénypont szerinti szimmetrizáló transz­5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 5

Next

/
Thumbnails
Contents