191204. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és elrendezés félvezető analóf kapcsoló kialakítására

5 191204 6 biztosítsák,s így az egyensúly állapot ilyen alacsony áram mellett következik be. Ha azonban az indító 15 elektró­dára olyan megfelelően terhelhető feszültség vagy áram­­generátort kapcsolnak, amely biztosítani tudja, hogy az első 12 réteg és a 11 alapanyag közötti, az indítójel nél­kül záróirányban előfeszülő, p-n átmenet nyitóirányba kerüljön, akkor az egyik tranzisztor telítésbe kerül, a má­sik tranzisztor emitter-bázis átmenete pedig továbbra is nyitóirányban lesz előfeszítve, miáltal a tirisztoron gya­korlatilag a terhelő ellenállás által meghatározott nagy áram fog folyni, alacsony maradékfeszültség mellett és ez az állapot, függetlenül attól, hogy a továbbiakban az indítójelet biztosítjuk-c vagy sem, fennmarad egészen addig, amíg az első és második 16,17 kivezetés feszült­ségét a maradékfeszültség alá nem csökkentjük, vagy az áramkört meg nem szakítjuk. A harmadik ábrán Igj árammal paraméterezett jelleg­görbe az indítójel hiánya mellett fellépő működést jel­képezi amikor az indító jel elég nagy ahhoz, hogy az adott munkaellátás és az első és második 16, 17 kive­zetés közé kapcsolt feszültség mellett az eszköz bekap­csoljon. A tirisztor működésének elengedhetetlen feltétele, hogy az őt alkotó bipoláris tranzisztorok földelt bázisú áramerősítési tényezőinek összege legalább a bekapcsolt állapotnak megfelelő munkaponti áram esetében egynél nagyobb legyen, ez ugyanis a feltétele annak, hogy a ti­risztor az adott áramnál bekapcsolható legyen, valamint az indítójel megszűnése után az egyik tranzisztor telítés­ben maradjon és a munkaponti áram ne csökkenjen le. Ez a feltétel a hagyományos planár technológiával köze­pes áramsűrűség mellett könnyen biztosítható, és a 12, 13, 14 rétegek, valamint a 11 alapanyag geometriájának helyes megválasztásával elérhető, hogy a kívánt áramtar­tományban a túl magas vagy túl alacsony áramsűrűség következtében ne lépjenek fel másodlagos effektusok. Ha pedig az első tranzisztor áramerősítési tényezőjét megfelelően nagyra választjuk, amit az első és harmadik 12, 14 réteg, valamint a 11 alapanyag adalékolási szintje és geometriai felépítése határoz meg, elérhető, hogy az indításhoz szükséges áramerősség a munkaponti áramhoz viszonyítva ne legyen magas. Az eszköz első és második 16. 17 elektródája közé kapcsolható maximális feszült­séget pedig elsősorban a második tranzisztor bázisának szélessége és koncentrációja (ami azonos a 11 alapanyag koncentrációjával) határozza meg. Figyelemmel kell len­nünk továbbá arra, hogy az alacsony nyitóirányú diffe­renciális ellenállás biztosítása érdekében a rétegek soros ellenállása lehetőleg alacsony legyen. Mindent összevetve, ha az első és második 12, 13 ré­teg mélysége 2—3 pm körül van, a harmadik réteg mély­sége pedig ennél 0,5 pm-rel kisebb, az első és második 12, 13 réteg ellenállása 150- 300 Ohm/D, míg a harma­dik 14 rétkgé 5—10 Ohm/D, a 11 alapanyag fajlagos el­lenállása pedig 1 Ohm cm körül van, az első és a máso­dik 12, 13 réteg közötti távolság pedig 60 /un, akkor ha feltételezzük, hogy az eszköz optimális áramsűrűség mel­lett működik, és másodlagos hatások a teljesítőképessé­gét nem rontják le, a munkaponti áram néhány százalé­kának megfelelő indító áram szükséges a tirisztor bekap­csolására és az eszköz első és második 16, 17 kivezetése közé kapcsolható maximális feszültség 100 V körül lesz. A gyakorlatban azonban ezek az optimális működési fel­tételek általában nem teljesülnek és az eszköz biztonsá­gos beindításához nagyobb áramra van szükség. 4 A 4., 5. és 6. ábrán a találmány tárgyát képező félve­zető analóg kapcsoló egy lehetséges elrendezésének fclül­­rézeti képét (4. ábra), metszetét (5. ábra) és jellegzetes karakterisztikáját (6. ábra) láthatjuk. Bár némileg más el­rendezésben mint a hagyományos laterális tirisztor ese­tén, a találmány tárgyát képező félvezető analóg kap­csoló ezen elrendezése is tartalmaz a félvezető 11 alap­anyagában első, második és harmadik 12, 13, 14 réteget és a harmadik és második 14,13 réteghez az első és má­sodik 16, 17 kivezetés is a szigetelő 18 rétegben nyitott kontaktus ablakokon 19 keresztül kapcsolódik. A talál­mány szerinti elrendezés azonban az isinettől eltér any­­nyiban, hogy az első 12 réteg felülettel határos része fö­lötti szigetelő 18 rétegben gyújtó 20 elektródája van. A szigetelő 18 réteg gyújtó 20 elektróda alatti része nem­csak a szelektív technológiai műveletek és a felületvéde­lem érdekében készült, hanem azért is, hogy kapacitív úton a gyújtó 20 elektróda elektromos terén keresztül befolyásolni tudjuk a tirisztor komponensét képező vala­melyik tranzisztor áramerősítési tényezőjét a gyújtó 20 elektródához csatlakozó harmadik 21 kivezetésre adott potenciál segítségével. Ennek következtében az itt fel­használt szigetelő 18 rétegnek legalább a gyújtó 20 elekt­róda alatti sokkal szigorúbb követelményeknek kell meg­felelni, mint a hagyományos laterális tirisztor esetében. A szigetelő 18 réteg vastagsága például, ami a hagyomá­nyos laterális tirisztorok esetében csaknem közömbös volt, jelentős szerepet játszik a gyújtó 20 elektróda által biztosított elektromos térerősségének és igy a vezérlés meredekségének meghatározásában. Az oxidtöltés és a felületi állapotok sűrűsége pedig a gyújtó 20 elektróda effektiv vezérlő feszültségének befolyásolásával a vezér­lési tartományt tolja el valamilyen jól definiálható mér­tékben és nagyrészt meghatározza az eszköz megbízha­tóságát. A gyújtó 20 elektróda anyagának és az első 12 réteg adalékkoncentrációjának megválasztásával pedig a kilépési munkán keresztül a vezérlési tartományt be­folyásolhatjuk. Technológiai szempontból az alapstruktúra, vagyis az első, második és harmadik 12, 13, 14 réteg kialakítása, valamint a második és harmadik 13, 14 réteg kontaktá­­lása és kivezetése a hagyományos laterális planár techno­lógiával megegyező módon, bár természetesen más a cél­nak megfelelő technológiai paraméterek mellett történik. A gyújtó 20 elektróda és az elektróda alatti szigetelő 18 réteg kialakítása pedig a MOS technikából jól ismert módszerek valamelyikével történhet, például szilícium alapanyag esetén a szigetelő 18 réteg visszamart száraz oxidációval és utólagos hőkezeléssel, a gyújtó 20 elekt­róda pedig az első, második és harmadik 16, 17, 21 ki­vezetéssel egyidőben alumíniumból készülhet. Az így kialakított félvezető analóg kapcsoló működé­se röviden a következő. Nyitóirányú működtetés és a gyújtó jel hiányát feltételezve (záróirányú működtetés esetén a gyújtó 20 elektróda potenciáljától független visszáram folyik: az első és második 16, 17 kivezetés közé kapcsolt feszültség hatására a harmadik és első 14, 12 réteg közötti, illetve a második 13 réteg és a 11 alap­anyag közötti p-n átmenet nyitóirányában, míg az első 12 réteg és a 11 alapanyag közötti p-n átmenet záró­irányban feszítődik elő, és az eszközön keresztül lénye­gében a záróirányú p-n átmenet visszárama fog folyni, mint az t a 6. ábra mutatja (a szaggatott vonal az analóg kapcsolóra kötött terhelő ellenállás áram-feszültség függvénye). A találmány tárgyát képező analóg kap­5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65

Next

/
Thumbnails
Contents