187693. lajstromszámú szabadalom • Eljárás p-tipusú tartományok kialakítása AL diffúzióval
(19) HU MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY B A bejelentés napja: (22) 82. 05. 04. (21) 1387/82. (A módosítás napja:) 83. 04. 26. ' <11> 187 693 Nemzetközi osztályjelzet: (51) NSZO, H 01 L 21/225 ORSZÁGOS találmányi HIVATAL A közzététel napja: (41) (42) 1984. 04. 30. Megjelent: (45) 88.01.30. 5^alálmányi^> Szabadalmi Tár. ’ Jt/LAJDONk, Feltalálóik): (72) Szabadalmas: (73) PUSKÁS László 30%, LÁZÁR Péter, 15%, vegyészek, dr. motál Mikroelektronikai Vállalat, Budapest György, 25%, SZENDRŐ István, 10% fizikusok, Budapest, VÁRHEGYI Tivadarné, 10%, MÁRTON Edit, 5%, félvezető mérnökök, ZALÁNYI István, üzemmérnök 5% Budapest (54) ELJÁRÁS p TlPUSÜ TARTOMÁNYOK KIALAKÍTÁSÁRA A1 DIFFÚZIÓJÁVAL (57) KIVONAT A találmány tárgya olyan eljárás, mely a szilícium-dioxid és/vagy szilíciumnitrid maszkoló réteggel ellátott Si egykristály szeletben A1 diffúzióval kialakított p típusú tartományok előállítására szolgál. A kitűzött feladatot olyan eljárással oldják meg, hogy a kialakított ablakok felületét 5-20 nm vastagságú Si02 réteggel fedik le, majd az egész Si egykristályszelet felületére az eredeti maszkoló rétegnél legalább kétszer vastagabb, de min. 500 nm vastagságú poliszilícium és/vagy amorf Si réteget választanak le, és az Al-ot az így kialakított poliszilícium és/vagy amorf Sí rétegen keresztül diffundáltatják a Si egykristály szeletbe, majd sorrendben ismert eljárással lemarják először a poliszilícium és/vagy amorf Si réteget, majd utána a Si02 és/vagy Si3N4 maszkoló réteget.