185450. lajstromszámú szabadalom • Eljárás n- és/vagy p-típúsú adalékolt területeket tartalmazó félvezető eszközök, előnyösen MOS vagy bipoláris integrált áramkörök kialakítására
gateoxidda! azonos vastagságú) 40 védőoxidban történik és így a kontaktusablak mérete nagy pontossággal tartható. Megszűnik az ismert eljárásoknál igen gyakori veszély, hogy a pozicionálási pontatlanság, valamint a pirolitikus 36 oxidrétegben, valamint a hőkezelés során keletkező 15 oxidrétegben bekövetkező aiámarás együttes eredményeként a forrás 32 vagy a nyelő 34 tartomány p-n átmenetének a széle felszínre kerül és a következő eljárási lépésben készülő fémezés során elektromosan rövidre záródik. Ez az ismeri eljárásokban gyakran előforduló hiba annál is veszélyesebb, mert a p —n átmenet felszínre kerülése az általánosan alkalmazott mikroszkópos ellenőrzéssel nem érzékelhető és így előre nem deríthető fel. Eljárásunknál az ilyen hiba bekövetkezésének valószínűsége lényegesen lecsökken, mivel a második kontaktus abiaknyitás mindössze 100 - 200 nm vastagságú oxidban történik. A találmány szerinti eljárás ismertetése során a példában mindenütt MOS integrált áramkört említettünk. Ez az eljárás előnyösen alkalmazható bipoláris integrált áramkörök kialakítására is és minden olyan esetben, amikor viszonylag vastag környezeti szilíciumdioxid-réteghen egymástól igen pontosan definiált távolságban adalékolt területeket kell létrehozni. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás n- és/vagy p-típusú adalékok területeket tartalmazó félvezető eszközök, előnyösen MOS vagy bipoláris integrált áramkörök kialakítására, a szilícium egykristályszelet termikus oxidációjával, azzal jellemezve, hogy a termikus szilíciumdioxid-rétegeí az ismert eljárásoknál alkalmazott oxidrétegnél vékonyabbra, pl. felére vagy harmadára választjuk, majd ezt a vékonyabb szilíciumdioxid-réteget szelektíven eltávolítjuk, ezután a szilícium egykristály-szeletbe az eltávolított helyeken ismert módon megfelelő adalékanyagot, pl. bort vagy foszfort implantálunk, és az egykristályszeletet megfelelő közegben hőkezeljük, ezt követően pirolitikus vagy más alacsony hőmérsékletű oxid leválasztást végzünk úgy, hogy a vékonyabbra választott szilíciumdioxid-réteg és a pirolitikus vagy a? alacsony hőmérsékletű oxidréteg együttes vastagsága éppen a szükséges környezeti oxidréteg vastagságával legyen egyenlő, végül további ismert műveletek elvégzésével a félvezető eszközt kialakítjuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítást módja, azzal jellemezve, hogy a vékonyabb szili* ciumdioxid-réteg vastagságát pl. 0,3 —0,5 pm vas-, tagságúra választjuk. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás fogairatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a p-típusú adalékolt területek kialakítására a bórionok implautalását 2- 10'5 at/cm2 dózissal és pl. 40 keV energiával végezzük. 4. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hegy az n-típusú adalékolt területek kialakítására a foszforionok in plantálását 3 • 10s 5 at/cm2 dózissal és pl. 50 keV energiával végezzük. 5. Az 1 - 4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosílási módja, azzal jellemezve, hogy az implantálás utáni hőkezelést előnyösen 1100 °C hőmérsékleten oxidáló közegben végezzük. 6. Az i - 5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a pirolitikus oxidréteget 1 — 1,2 pm vastagságúra választjuk. 7. Az 1 - 6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a pirolitikus oxidréteg leválasztást atmoszférikus nyomáson szilángáz felhasználásával végezzük. 8. Az 1 - 6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a pi'oiitikus oxidleválasztást alacsony nyomáson és/ vagy nagyfrekvenciás plazma gerjesztésével végezzük. 5 10 15 20 25 30 35 40
