183759. lajstromszámú szabadalom • Eljárás integrált áramköri minták fotolitográfiás kialakítására

két. A plazma kezelést előnyösen 60—900 másodpercig végezzük. Majd ezután a már ismertetett módon fejezzük be a fotolitográfiás műveletet, vagyis másodszor is hőkeze­lünk, ábramarást és lakkeltávolítást hajtunk végre. Az eljárás egy másik magvalósítása az előzőtől abban tér 5 el, hogy az ábraelőhívás után először hőkezelünk és azután végezzük el a második hőkezelést a már ismertetett módon. A találmány szerinti eljárás előnyeit az alábbiakban fog­lalhatjuk össze: az oxigénplazmával kezelt felületeken na­gyobb az oldódási sebesség, mint a plazma kezelés nélküli i q mintáknál. Ezáltal a marási sebesség a felületre merőleges irányban is előnyösen változik. A felület síkjában a marás minden egyes ponton egyszerre indul meg, s így a marás végpontja is azonos, mely együtt jár az áramkörök geomet­riai méreteinek azonosságával is a minta teljes felületén. Ez 15 a tény nagymértékben megnöveli az áramkör készítés kiho­zatalát és egyben nagyobb felületű mintákon is lehetőség nyílik finom mintázatok mérethű előállítására. ! 183 759 SZABADALMI IGÉNYPONTOK 1. Eljárás integrált áramköri minták fotolitográfiás kiala­kítására, melynek során a fém vékonyréteg előkészítése itán dehidratálunk, (eltávolítjuk a felületen kötött vizet), majd a felületre fényérzékeny lakkot viszünk fel, hőkezelés után maszkon keresztül exponálunk, az ábrát előhívjuk és másodszor is hőkezelünk, végül nedves kémiai módszerrel maratjuk az ábrát és eltávolítjuk a lakkréteget, azzal jelle­mezve, hogy az ábra előhívása, vagy a második hőkezelés után, a maratás előtt a felületet oxigénplazmával kezeljük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy az oxigén plazmás kezelést mini­mum hatvan másodpercig folytatjuk. 3. A2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja az­zal jellemezve, hogy az oxigén plazmás kezelést maximum kilencszáz másodpercig folytatjuk. 2 (1 db rajz, 1 db ábra) 3

Next

/
Thumbnails
Contents