183700. lajstromszámú szabadalom • Elrendezés háttértárolók kapacitásának növelésére
1 183 700 2 tésre — és visszaolvasásra szolgáló 3 író-olvasó ferritfejeket hordozzák. A légpárna felhajtó erejével egyensúlyt tart és a 2 repülőtest rögzítésére bronzból készített 4 keretrugó szolgál. A 2 repülőtest vázhoz való rögzítésére, mozgatására, a mágnestárcsához való közelítésére illetve eiemelésére 5 emelőszerkezet szolgál. A 3 író-olvasó ferritfejek 6, 7 kivezetésekkel vannak ellátva, amelyek két csoportra oszlanak: a 6 kivezetések 8 diódamátrixhoz kapcsolódnak. A 8 diódamátrix közvetlenül a 2 repülőtesten helyezkedik el, ezért a 6 kivezetések a 2 repülőtest szabad mozgását nem gátló „belső” vezetékek. A 7 kivezetések „külső” vezetékek, amelyek a mozgó rendszeren kívül mereven felerősített, a 3 író-olvasó ferritfejeket kiválasztó és jelerősítésre szolgáló elektronikához vezetnek. Ezek befolyásolják a 2 repülőíest szabad mozgását ezeknek a számát minimálisra kell korlátozni. Az eddig alkalmazott elrendezéseknél 17 ferritfej összesen 17x3 = 51 „külső” vezetékekkel rendelkezett. A találmány szerinti elrendezésnél például 34 ferritfej esetén 34 kiválasztó (címző) vezetékhez két, az erősítőhöz vezető közös sín és két feszültségvezeték, tehát összesen 38 „külső” vezetékre van szükség, ami lényegesen kevesebb, mint amennyit az eddig alkalmazott megoldások igényeltek. Az integrált 8 diódamátrix 21 és 80 kimenő pontjaival (2. ábra) a jelerősítőre, míg 22, 14; 23, 13; 24, 12; 25, 11 ; 26, 10; 27, 9 diódáin keresztül egy-egy 3 író-olvasó ferritfej tekercsvégeire csatlakozik. A találmány szerinti elrendezésben ezek az űr. „belső” 6 kivezetések. A 8 diódamátrix 22, 23, 24, 25, 26 és 27, illetve 9, 10, 11, 12, 13 és 14 diódáin keresztül van a megfelelő sínnel a 21, 80 kimenő pontokra vezetve. Ezek a sínek, és a 3 ferritfejekhez tartozó 00, 01, 02, 03, 04 és 05 középleágazások, melyek a fejek kiválasztására szolgálnak, az un. „külső” 7 kivezetések. Az integrált kivitelű 8 diódamátrix (3. ábra) elrendezés olyan, hogy benne párban működő 9, 10; 1, 2, stb. diódák vannak egymással szemben, mégpedig félvezető lapka középvonalára szimmetrikusan elhelyezkedő és egymástól záró előfeszitésű 15 pn-átmenettel elválasztott két szigetben csoportosítva. Az egyes 9, 10, 11, 12 ... diódák 34, 35, 36 rétegekből álló laterális felépítésű p+p"p+ szerkezetek, melyeknél az U alakban hajlított, keskeny n* tartományt keretként veszi körül a n* tartomány. A 9, 10, 11, 12 ... diódák a középvonalra szimmetrikusan helyezkednek el, ilymódon biztosítva a párok között az optimális termikus csatolást. A közbenső p" sáv, melynek szélessége technológiailag nagy pontossággal beállítható, határozza 5 meg a 9, 10, 11, 12 ... dióda letörési feszültségét és a ny'tókarakterisztika meredekségét, a p'p+ átmenet élhossza pedig a 9, 10, 11, 12, ... dióda terhelhetőségét. A leírt elrendezés biztosítja a 9, 10, 11, 12 ... diódák megkívánt paramétereit a lehetséges legkisebb felüle- 10 tér, és ezzel egyrészt a 9, 10, 11, 12 ... diódák sebességéi befolyásoló kapacitások minimumát, másrészt a felületkihasználás optimumát eredményezi. A p" keret adja az egyes 9, 10, 11, 12 ... dióda csoportok közös anádkivezetését, mely közvetlenül vagy kapacitás- 15 csökkentő diódán keresztül csatlakoztatható. A 8 diódamátrix technológiai felépítése követi a szokásos integrált áramköri technikát, így az elem a hibrid technológiával szerelhető. 20 Szabadalmi igénypontok 1. Elrendezés háttértárolók kapacitásának növelé- 25 sére, ahol mágnestárcsa legalább egyik oldalán digitális információt rögzítő és leolvasó író-olvasó ferritfejeket tartalmazó, legalább egy repülőtest helyezkedik el, azzal jellemezve, hogy az író-olvasó ferritfejek (3) egymástól párban működő diódákkal (9, 10, 11, 12 30 ...) kialakított integrált diódamátrixszal (8) vannak elválasztva, amely erősítőhöz vezető közös sínhez kapcsoltan az író-olvasó ferritfejeket (3) magában foglaló repülőtesten (2) helyezkedik el, az integrált diodamátrix (8) egy közös hibrid áramkörbe van be- 35 építve, amelynél a párban működő diódák (9, 10, 11, 12, 13, ...) csoportosan legalább egy monolitikus integrált áramkörbe vannak összeintegrálva olymódon, hogy az egyes diódák (9, 10, ...) laterális elrendezésű p+;rp+ szerkezetek, melyek egymástól záró előfeszité- 40 sű pn átmenettel (15) elválasztva és közös vonalukhoz viszonyítva szimmetrikusan helyezkednek el. 2. Az 1. igénypont szerinti elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a diódamátrixban (8) monolitikusán összeintegrált és közös anódú diódacso-45 portok (9, 10 ...) anódkivezetésébe sorosan, kapacitást csökkentő dióda van beleintegrálva. 3 db ábra 3
