183428. lajstromszámú szabadalom • Bipoláris tranzisztor, különösen nagyteljesítményre
1 183 428 2 mélységű, továbbá 10-15 Ohm/a rétegellenállású. A 20 diffúziós gyűrű a 18 emitterréteg peremétől 10-50 pm, célszerűen 20—25 pm távolságra helyezkedik el. Ez a struktúra 100 W feletti teljesítményű, 60—120 V kollektorfeszültségű teljesítménytranzisztoroknál használható. A 2. ábrán látható teljesítménytranzisztoroknál a 22 befűzött ellenállás a kémiai vagy plazmás úton létrehozott 28 mart árok alatt alakult ki. A 28 mart árok körbefut a 19 emitterperemnél és át is nyúlik a diffúziós 14 bázisrétegbe. A 28 mart árok kontúrja és a 26 kontaktusfém kontúrja között 5— 15 pm a távolság. A 3. ábrán nagyfrekvenciás, többelemes emitterű teljesítménytranzisztort mutatunk be, amelynek a 19 emitterpereménél 28 mart árok és abban helyet foglaló in-situ növesztett benyúló 24 oxidrétegisvan. A 18 emitterréteg mélysége 0,8 pm, rétegellenállása 18—22 Ohm/n. A diffúziós 14 bázisréteg feletti 24 oxidrétegen 20—100 nm, célszerűen 40—50 nm vastagságú 30 szilíciumnitridréteg helyezkedik el. A 18 emitterréteg peremétől 0—10 pm távolságra, célszerűen 4—5 pm-nyire 5—15 pm, célszerűen 6—8 pm széles, 0,1—0,5 pm, célszerűen 0,2— 0,25 pm mély mart árok van, melyben in-situ növesztett 150—250 nm vastagságú 24 oxidréteg helyezkedik el. Szabadalmi igénypontok 1. Bipoláris tranzisztor, különösen nagyteljesítményre, melynek első vezetési típusú kollektortestében vagy kollektortestén elhelyezkedő második vezetési típusú bázisrétege és a bázisrétegben elhelyezkedő első vezetési típusú, egy vagy több elemből álló emitterrétege van, azzal jellemezve, hogy az emitterrétegben (18) emitterperem (19) környezetében folytonos és emitterbelsőt (17) körülvevő, befűzött ellenállása (22) van. 2. Az 1. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a befűzött ellenállás (22) állandó szélességben veszi körül az emitterbelsőt (17). 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a befűzött el-5 lenállás (22) az emitterrétegben (18) az emitterperemnél (19) kialakított második vezetési típusú sáv alatt helyezkedik el. 4. A 3. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a második vezetési típusú 10 sáv az emitterperemtől (19) kisebbségi töltéshordozók diffúziós úthosszánál távolabb van. 5. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a befűzött ellenállás (22) az emitterrétegben (18) az emitterperem-15 né! (19) kialakított mart árok (28) alatt van. 6. Az 5. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a mart árok (28) az emitterperemnél (19) átnyúlik a bázisrétegbe (14). 7. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti bipoláris tranzisz-20 tor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a befűzött ellenállás (22) az emitterrétegben (18) az emitterperemnél (19) in-situ növesztett benyúló oxidréteg (24) alatt van. 8. A 7. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kivite-25 li alakja, azzal jellemezve, hogy az in-situ növesztett benyúló oxidréteg (24) az emitterperemnél (19) átnyúlik a bázisrétegbe (14). 9. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a befűzött el-30 lenállás (22) az emitterrétegben (18) az emitterperemnél (19) mart árok (28) és abban helyet foglaló in-situ növesztett benyúló oxidréteg (24) alatt van. 10. A 9. igénypont szerinti bipoláris tranzisztor kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a mart árok (28) és az 35 abban helyet foglaló in-situ növesztett benyúló oxidréteg (24) az emitterperemnél (19) átnyúlik a bázisrétegbe (14). 3 db ábra Felelős kiadó: Himer Zoltán osztályvezető' Megjelent a Műszaki Könyvkiadó gondozásában 86.071. UNIPROP
