182812. lajstromszámú szabadalom • Eljárás mikroáramköri maszkok számítógéppel segített tervezésére, ellenőrzésére és előállítására

1 182 812 2 ✓ hez, ezután ellenőrizzük és hiba esetén javítjuk a fragmentum-rajzolatokat (14c, d), a fragmentum­rajzolatok (13c—e, 14c, d, 15c, d, 16c, d, 17c) elkészítését, ellenőrzését és hiba esetén javítását hierarchiaszintenként végezzük el, végül ábragene­rátorral (20) és a lépkedő-ismétlő kamerával (19) a technológiai hierarchiaszinteknek megfelelően több lépésben elkészítjük a maszklemezt (18b). (1. és 3. ábra) 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a legalacsonyabb hie­rarchiaszintű fragmentum-rajzolatok (13c, e) esetén a belső és határábrákat (22, 21) ellenőrizzük és javít­juk, a további hierarchiaszinteken csak az eggyel alacsonyabb szintű fragmentum-rajzolatok (13c—e, 14c, d, 15c, d, 16c, d) határábráinak (21) illeszke­dési területét (23) ellenőrizzük és javítjuk. (2., 3. ábra) 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foga­natosítási módja, azzal jellemezve, hogy csak a leg­alacsonyabb technológiai hierarchiaszintű fragmen­tum-rajzolatokat (13c—13e) állítjuk elő ábragenerá­torral (20), a további hierarchiaszintek fragmentum­rajzolatait (14c, d, 15c, d, 16c, d, 17c) az eggyel alacsonyabb szintű fragmentum-rajzolatok (13c— 13e, 14c, d, 15c, d, 16c, d) felhasználásával lépkedő­ismétlő kamerával (19) állítjuk össze. (1., 2. ábra) 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a frag­mentum-rajzolatok (13c—e, 14c, d, 15c, d, 16c, d, 17c) határvonalait az áramköri elemek (31) között levő réseken vezetjük át, az elvi határvonal (32) mentén a lépkedő-ismétlő kamera (19) specifikáció szerinti hibájánál nagyobb szélességű illeszkedési sávot alakítunk ki. 5 (1., 3. ábra) 5. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti el­járás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a fragmentum-rajzolatok (13c—e, 14c, d, 15c, d, 16c, d, 17c) határvonalait az áramköri elemek (31) 10 torzulásra nem érzékeny ábraterületein vezetjük át, az elvi határvonal (32) mentén a lépkedő-ismétlő kamera (19) specifikáció szerinti hibájánál nagyobb szélességű illeszkedési sávot alakítunk ki. (1., 4. ábra) 15 6. A 4. vagy 5. igénypontok szerinti eljárás foga­natosítási módja, azzal jellemezve, hogy lépkedő­ismétlő kamerával (19) történő összeállítás során a lemezeken elhelyezett fragmentum-rajzolatok (13c—e, 14c, d, 15c, d, 16c, d, 17c) illeszkedő határ- 20 ábráit (21) a leképező (optikai) rendszer közel azo­nos sugármenettel vagy a leképzési (optikai) ten­gelyre szimmetrikus sugármenettel képezzük le. (1., 2. ábra) 7. Az 1—6. igénypontok bármelyike szerinti el- 25 járás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy bármely technológiai hierarchiaszinten egy lemezen több fragmentum-rajzolatot (13c—e, 14c, d, 13c, d, 16c, d, 17c) állítunk elő, és az eggyel magasabb szintű fragmentum-rajzolatok (14c—d, 15c, d, 16c, d, 17c) 30 összeállítása során az éppen szükséges fragmentu­mok területén kívül eső lemezfelületeket anyaggal időlegesen lefedjük. __________________ (2. ábra) 4 rajz, 7

Next

/
Thumbnails
Contents