181165. lajstromszámú szabadalom • Eljárás termoplasztikus méretkialakítással és hőkezeléssel szcintillátor tetszőleges konfigurációjának előállítására
3 18U65 4 3. Adott méretre beállított ipari novesztőlétesítménnyel az adottnál nagyobb méretű szcintillátorok gyártását jelentős beruházás nélkül nem lehet megoldani. 4. A szennyező (aktivá tor) eloszlását a növesztés módja, illetve minősége szabja meg. A találmány révén új, termoplasztikus méretkialakítási módszert kívánunk alkalmazni, amellyel az ismert eljárás hátrányait ki lehet küszöbölni. Az új, termoplasztikus méretkialakítási módszer előnyei a következők: 1. A végtermék előállítható méretét kizárólag a növesztmény térfogata és az alkalmazott présszerszám mérete, nem pedig a növesztmény és a tégely mérete szabja meg. 2. a termoplasztikus méretkialakítási módszer nem jár anyagveszteséggel. 3. adott méretre beállított ipari növesztőlétesítmény az adottnál nagyobb, extrém méretű és alakú szcintillátorok gyártására is vállalkozhat a növesztőberendezések felújítása, vagy más méretre történő átállás nélkül. 4. a szennyező (aktivátor) eloszlását a szcintillátorban az alkalmazott hőmérséklet és nyomás homogenizálja. A találmány szerinti megoldásnak megfelelő új termoplasztikus méretkialakítási módszer segítségével ugyanis az egykristálynövesztmény teljes hasznos térfogatát kihasználva, az előírt méreteket az alábbi módon lehet biztosítani: az egykristálynövesztményt az elérendő mérettel rendelkező, speciális védőréteggel borított présszerszámba helyezzük, majd lassú temperálással olvadáspontja közeiéig felfűtjük. Ezután állandó hőfokon tartva nyomás alá helyezzük mindaddig, amíg az előírt végméretet eléri. Az alkalmazott nyomás értéke néhányszor 1 MPa. Az így kialakított méretű szcintillátort a szerszámmal együtt, lassan, kb. néhányszor 10°C/óra sebességgel szobahőmérsékletre hűtjük. A szerszámból kivett szcintillátor további forgácsolást nem igényel: szárazkamrában, a forgácsolt egykristályszcintillátoroknál előirt felületi megmunkálás után szerelhető. A találmány szerinti megoldásnak megfelelő termoplasztikus méretkialakítási eljárás egyik példaképpel foganatosítási módját az 1. sz. ábra figyelembevételével a következőképpen hajtjuk végre: Egy Csl(Tl) növesztett 1 egykristálynövesztményt. amelynek mérete: 4> 76x 50 mm az <p 5 152 x 12,5 mm méretű 2 présszerszámba helyezzük. A 2 présszerszámnak az 1 egykristálynövesztmény nyel érintkező felületeit előzetesen 5 védőréteggel vonjuk be. hogy a préselt végtermék a szerszámtól könnyen eltávolítható legyen. A présszerszámot az 1 10 egykristálynövesztménnyel együtt 20°C/óra sebességgel 610 °C-ra fűtjük fel. A felfűtött 2 présszerszámot és 1 egykristálynövesztményt ezen a hőmérsékleten kb. 2-3 percig 1.2 MPa nyomáson tartjuk mindaddig, amíg a kívánt 4> 152x12,5 mm 15 méretet eléri. Ezután újra max. 20°C/óra sebességgel szobahőmérsékletre hűtjük. A találmány szerinti megoldásnak megfelelő eljárás révén mód van arra, hogy az egykristály - szcintillátor bármelyik mérete a kiinduló egykristály- 20 növesztmény adott 4 magasságának, vagy 3 átmérőjének törtrésze, vagy többszöröse lehet. Szabadalmi igénypontok: 25 1. Eljárás termoplasztikus méretkialakítással és hőkezeléssel tetszőleges konfigurációjú szcintillátor kialakítására, azzal jellemezve, hogy a kialakítást a szcintílláló egykristálynövesztmény (1) hőkezelésével 30 az olvadáspont alatti - anyagi összetételtől függően - néhányszor 10°C-kal kisebb hőmérsékleti tartományban végezzük, az így hőkezelt szcintílláló egykristálynövesztmény (1) plasztikus alakítását - anyagi összetételtől függően — sajtolással néhány- 35 szór 1 MPa nyomáson végezzük, továbbá hogy az így kialakított szcintillátor lehűtését lassan, anyagi összetételtől függően néhányszor 10°C/óra sebességgel végezzük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási 40 módja, azzal jellemezve, hogy a sajtolás folyamán a védőréteggel (5) borított présszerszám (2) méreteivel határozzuk meg a deformált egykristály végleges alakját. 3. Az 1. vagy 2- igénypont szerinti eljárás fogana- 45 -osítási módja, azzal jellemezve, hogy az egykristály bármelyik méretét a kiinduló szcintílláló egykristálynövesztmény (1) megfelelő méretének [átmérő (3). magasság (4)] törtrésze, illetve többszöröseként választjuk meg. I rajz. 1 ábra A kiáltásért felel a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 84.4281 Zrínyi Nyomda. Budapest T
