180090. lajstromszámú szabadalom • Berendezés huzal húzására és eljárás ennek előállítására
23 180090 24 és egy hexagonális típusú /Mo, W/C fázis 1 mikron vagy ennél is kisebb nagyságú karbidjai voltak, egy fémes Co fázissal. Ezt a szintereit testet hasonló módon használtuk, mint a 14. példa esetében. Amikor a színtereit testet a huzalhúzási munkaképesség szempontjából vizsgáltuk, ugyanolyan jó eredményeket kaptunk, mint a 14. példa esetében. Szabadalmi igénypontok 1. Berendezés huzal húzására, amelynek összetett gyémánt betétje van, azzal jellemezve, hogy egy legalább 70 térfogatszázalék gyémánttartahnú szintereit test kerülete egy olyan cermet anyaggal van körülvéve, amelyben legalább a W atomtérfogatával egyenlő mennyiségű molibdént tartalmazó, /Mo, W/C képlettel meghatározható karbidkristályok vannak, amelyek egy olyan vascsoportba tartozó fémmel vannak kötve, amely a vas, nikkel, kobalt és ezek ötvözetei csoportjából van választva. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 2. Az 1. igénypontban meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az összetett gyémánt betétjének egy a vascsoportba tartozó férne van, amelynek a cermet anyagra vonatkoztatott aránya 5—30 térfogatszázalék. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 3. Az 1. vagy 2. igénypontban meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a cermetnek 0,1—10 térfogatszázalék MaC típusú karbidkristályai vannak. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 4. Az 1—3. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal j e 11 e - m ezve, hogy7 a vascsoportba tartozó fém kobalt, nikkel és ezek ötvözetei közül van választva, és hogy 0,1—20 súlyszázalék vasat tartalmaz. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 5. Az 1—4. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy7 a karbidkristályok a /Mo, W/C, képlettel határozhatók meg, ahol 0,5<x£l. (Elsőbbsége: 1979. július 4.) 6. Az 1. vagy 5. igénypontban meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az x értéke 0,8 és 0,98 között van. (Elsőbbsége : 1978. július 4.) 7. Az 1—6. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy7 a kötőfázisban a bérillium, magnézium, kalcium, szilícium, foszfor, mangán és rénium közül választott legalább egy járulékos elem is van, 0,1—3 súlyszázalék arányban. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 8. Az 1—7. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a cermetben a titán, cirkon, hafnium, tantál és niobium közül választott egy7 vagy több elem van. (Elsőbbsége: 1978. július 4,) 9. Az 1—8. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal j e 11 e - m ezve, hogy a vascsoportba tartozó fémben 0,1— 50 súlyszázalék nikkel van. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 10. Az 1—9. igénypontok bármelyikében meghatározott berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a cermet anyag kerületének egy7 része vagy az egész kerület egy lineáris vágott felület. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 11. Eljárás huzal húzására használható berendezés előállítására, azzal jellemezve, hogy7 egy előszinterelt, gyűrű alakú, legalább a W atomtérfogatával egyenlő mennyiségű molibdént tartalmazó cs egy7 a vas, nikkel, kobalt és ezek ötvözetei csoportjából választott fémmel kötött, /Mo, W/C al ipú karbidkristályokat tartalmazó cermet anyagot gyémántporral töltünk, a gyémántport a gyémánt stabil állapotának megfelelő hőmérsékleten és nyomáson szinterei j ük és a legalább 70 térfogatszázalék gy7émánt tartalmú szintereit gy7émánt testet a cermet anyaghoz kötjük. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 12. A 11. igénypontban meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a:: előszinterelt, gyűrű alakú, egy7 vagy több lyukk il kiképzett cermet anyag lyukába gyémántport töltünk, a gyémántport oly7an hőmérsékleten és nyomáson szintereljük, amely7en a gyémánt stabil, és a cermet, anyag eutektikus összetételű folyadékf.zisát a gyémánt kristályszemcsék közé folyatjuk, miközben a szintereit gyémánt test kötőfázisában karbidkristályokat csapatunk ki. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 13. A 11. vagy7 12. igénypontban meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a cermet, anyagban 0,1—10 térfogat százalék MZC típusú karbidkristályokat hozunk létre. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 14. A 11—13. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy7 a gy7émántpor szinterelését úgy7 végezzük, hogy7 ezt először nyomásnak és azután hevítésnek vetjük alá. (Elsőbbsége: 1978. j ílius 4.) 15. A 11—14. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a gyémántpor szinterelését olyan hőmérsékleten és nyomáson végezzük, amelynél a gyémánt stabil, és hogy szinterelési hőmérsékletként 1200 °C és 1450 °C közötti hőmérsékletet és szinterelési nyomásként 45 kbar és 150 kbar közötti ny7omást választunk. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 16. A 11—15. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a /Mo, C/C alapú cermet anyagot szinterelés foly7amán a szinterelési hőmérsékletről gy7orsan hűtjük le a folyadékfázis eltűnésének hőmérsékletére. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 17. A 11—16. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a /Mo, W/C alapú cermet inyagot előnyösen 1200 °C és e fölötti hőmérsékleten szintereljük. (Elsőbbsége: 1978. július 4.) 18. A 11—17. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a gy-émántporban / Mo, W/C típusú karbidok képzésére képes anyagot vagy7 mo-5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 12
