174979. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz
9 174979 10 mivel a 200 rétegbejutó elektronok rekombinálódása csökkenti az onnan elszívható lyukak számát. Ennek megakadályozása végett minél kisebb felületi rekombinációs sebességet célszerű biztosítani. A 200 réteg vékonysága (1,8/am) miatt a térfogati rekombináció 5 elhanyagolható. Az ismertetett kiviteli alakokban a kis felületi rekombinációs sebességet a szilícium felület finomsága és a Si02 passzivációs réteg segítségével érhetjük el. Ezen túlmenően a szintén ismertetett gát ugyancsak 10 hozzájárul az alacsony felületi rekombinációs sebesség kialakulásához. Az 1. ábrán ismertetett, találmány szerinti eszköz NPN tranzisztor, de nyilvánvaló, hogy lehet PNP tranzisztor is, megfelelő felépítéssel és jellemzőkkel, to- 15 vábbá az is nyilvánvaló, hogy a találmány szerinti eszköz lehet NPNP típusú tirisztor is. Szabadalmi igénypontok 20 1. Félvezető eszköz, amely egyik vezetési típusú félvezető első réteget, valamint ezzel PN átmenetet alkotó másik vezetési típusú félvezető második réteget, valamint egyik vezetési típusú félvezető harmadik 25 réteget és az első félvezető réteggel PN átmenetet alkotó másik vezetési típusú félvezető negyedik réteget tartalmaz, továbbá az első és második réteg közötti átmenetet nyitóirányban előfeszítő és többségi töltéshordozókat az első rétegből a harmadik rétegbe továbbító eszköze van, azzal jellemezve, hogy közvetlenül a hordozón (1) egy közelítőleg 20/am vastag, antimon szennyezőanyagot, célszerűen 7*10'4 cm-’ koncentrációban tartalmazó harmadik réteg (2), felette egy közelítőleg 5 /am vastag, bőr szennyezőanyagot, célszerűen 1 * 1016 cm-3 koncentrációban tartalmazó második réteg (3), ezenfelül egy 2.. . 5 pm vastag, antimon szennyezőanyagot, célszerűen 5,5 -1015 cm-3 koncentrációban tartalmazó első réteg (4), legfelül pedig egy közelítőleg 1,8 pm vastag, bőr szennyezőanyagot, célszerűen 5 -101 8 cm-3 koncentrációban tartalmazó negyedik réteg (200) van kialakítva; és a két átmenet (13 és 14) közötti távolság kisebb, mint az első rétegben (4) a kisebbségi töltéshordozók diffúziós hossza. 2. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a második és negyedik félvezető réteg (3 és 200) villamosán össze van kötve, és a két átmenet (13 és 14) az első félvezető réteg (4) ellenkező felületein van és ezek egymással szomszédosak. 4 rajz, 11 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 80.401.6642 Alföldi Nyomda, Debrecen - Felelős vezető: Benkő István igazgató 5
