173322. lajstromszámú szabadalom • Eljárás védőüveg kialakítására félvezető eszközök felületén
s 173322 tartományt alakít ki. Közben az ablakok felületén ismét szándékosan nem szennyezett Si02 réteg képződik. Ily módon a szelet teljes felületét ismét szándékosan nem szennyezett Si02 réteg borítja. Ezután 1100 °C hőmérsékleten 02, N2 és P205 gőzét tartalmazó atmoszférában a szándékosan nem szennyezett Si02 réteg felületén 30 perc alatt foszforüveget hozunk létre, majd erre 700 °C hőmérsékleten 8000 Â vastag foszfortartalmú pirolitikus oxidréteget választunk le. A szerkezet 950 °C hőmérsékleten száraz 02-ben hőkezeljük. Végül a technikában jól ismert módon p típusú tartományokhoz kontaktusokat képezünk, a szeletet karcolással és tördeléssel elemeire választjuk szét és a szétválasztott elemeket tokba szereljük. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás legalább egy p—n átmenetet tartalmazó fékvezetőtest felületének lényegében Si02 alapú védőréteggel való bevonására, azzal jellemezve, hogy a félvezetőtest felületére önmagában ismert módon termikus, pirolitikus, anodikus vagy katód porlasztásos úton egy szándékosan nem szennyezett Si02 réteget képezünk ki 500—15 000 Â vastagságban, ezt követően a szándékosan nem szennyezett Si02 réteg-6 gél fedett félvezető testen 700—1250 °C hőfoktartományban P205 gőzét tartalmazó 02, N2 illetőleg ezek és/vagy nemesgázok elegyéből álló gázkeverékben 2—120 perc időtartamig hőkezelést végzünk, 5 majd a szerkezetre önmagában ismert módon pirolitikus vagy katódporlasztásos eljárással egy 0,4—40 mól% P205-öt tartalmazó Si02 réteget viszünk fel 1000-20 000 A vastagságban és az így kialakult szerkezeten 500—1200 SC hőfoktartományban 5—300 10 perc időtartamú 02, N2, illetőleg ezek és/vagy nemesgázok elegyéből alkotott gázkeverékben hőkezelést végzünk. 2. Az 1. igénypontban leírt eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy legalább egy p-n 15 átmenetet a szándékosan nem szennyezett Sí02 réteg kialakítása után hozunk létre úgy, hogy a réteget önmagában ismert fotolitográfiai technikával a félvezetőtest felületének résztartományai felett szelektíve eltávolítjuk ezen felülettartományokon keresztül, a 20 félvezetőtestben önmagában ismert és a félvezető technikában széleskörűen alkalmazott módszerek valamelyikével p—n átmenetet hozunk létre, a félvezetőtest p—n átmenet feletti felülettartományain önmagában ismert módon szándékosan nem szennyezett 25 SiO: réteget hozunk létre, majd az ily módon teljes felületén szándékosan nem szennyezett Sí02-vel borított félvezetőtesten hőkezelést végzünk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 79.7937.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató 3
