172498. lajstromszámú szabadalom • Eljárás vezető alakzatnak félvezető vagy szigetelő hordozóra történő felvitelére
MAGTAR NÉPKÖZTÁRSASÁG i SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY 172498 Nemzetközi osztályozás: Bejelentés napja: 1975. XII. 18. (MA-2734) H01 L 21/44, ORSZÁGOS Közzététel napja: 1978. III. 28. H05K 3/06 TALÁLMÁNYI Megjelent: 1979.1. 31. V* HIVATAL V^ Feltalálók: Tulajdonos: Andrási Andomé oki. vegyész dx. Rősner Béla okL fizikus, Magyar Tudományos Akadémia Műszaki Budapest Fizikai Kutató Intézete, Budapest Eljárás vezető alakzatnak félvezető vagy szigetelő hordozóra történő felvitelére 1 A találmány tárgya eljárás vezető alakzatnak félvezető vagy szigetelő hordozóra történő felvitelére, amelynél fotorezisztlakk technikát alkalmazunk. Fotorezisztlakk réteget már régóta alkalmaznak 5 nyomtatott áramkörök gyártásánál és a félvezető technikában vezető alakzatok felvitelére. Az egyik ismert eljárás szerint a félvezető hordozóra vezető réteget, majd erre fotorezisztlakk réteget visznek fel, amely utóbbit az alakzatnak megfelelően meg- 10 világítják. Ezután pozitív fotorezisztlakk esetén a megvilágított részeket, negatív fotorezisztlakk esetén pedig a nem megvilágított részeket oldószerrel eltávolítják. Ezután a vezető rétegnek a fotorezisztlakk réteg által nem fedett részeit marással vagy 15 ion bombázással eltávolítják. Egy másik ismert eljárás szerint, amit a szakirodalom „lift-off” vagy „float off’ technikának is nevez, a hordozóra először a fotorezisztlakk réteget viszik fel és azon ismert módon a kívánt alakzat 20 negatívjának megfelelő mintázatot alakítanak ki. Erre a struktúrára történik ezután a vezető réteg felvitele, amelynek a fotorezisztlakkon levő részeit a lakkréteg leoldásával távolítják el. Eme technikát alkalmazták már akusztikus felületi hullámú esz- 25 közök igen finom interdigitális elektródjainak előállítására is (H.I. Smith, N. Efremow, P.L.Kelley, J. Electrochem. Soc. 121, 11, p. 1503—1506). A közlemény szerint a finom alakzatot különleges, a felülethez idomuló maszk alkalmazásával értékel. 30 2 Felismertük, hogy az említett fotorezisztlakkos technikával finom alakzatokat különleges maszk alkalmazása nélkül is előállíthatunk, ha megfelelő vastagságú fotorezisztlakk réteget alkalmazunk és annak megvilágítását monokromatikus fénnyel végezzük. A találmány tehát eljárás vezető alakzatnak félvezető vagy szigetelő hordozóra történő felvitelére, amelynek során vagy a hordozóra fotorezisztlakk réteget viszünk fel, a felvitt réteget a kívánt alakzatnak megfelelően megvilágítjuk, majd a fotorezisztlakk réteg megvilágított részeit eltávolítjuk, ezután az elrendezésre vezető réteget viszünk fel és a vezető rétegnek a fotorezisztlakk rétegen levő részeit a fotorezisztlakk leoldásával eltávolítjuk, vagy a hordozóra vezető réteget majd fotorezisztlakk réteget viszünk fel, a fotorezisztlakk réteget a kívánt alakzatnak megfelelően megvilágítjuk és a megvilágított részeit eltávolítjuk, ezután a vezető rétegnek a maradék fotorezisztlakk által nem fedett részeit marással van ion bombázással eltávolítjuk. Az eljárást az jellemezi, hogy legalább 2 fim vastagságú fotorezisztlakk réteget viszünk fel és a fotorezisztlak réteget 400-500 nm hullámhosszúságú monokromatikus fénnyel világítjuk meg. Előnyösen az alkalmazott fotorezisztlakk réteg vastagsága 2—7 fim és a megvilágítást higanygőz lámpa interferencia szűrővel kiszűrt 435,8 nm hullámhosszúságú fényével végezzük. 172498
