172486. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető elemek előállítására
7 172486 oxálsav oldatot és 2—4 térfogategység ortofoszforsavat tartalmaz. Ha a maratószer ortofoszforsav tartalmát növeljük, növekszik az alumínium szilikátüveg maratási sebessége, és csökken annak a kerületi sávnak a szélessége, amelyet a második maszkolóréteg nem fed, ugyanakkor csökken a feltárt ablakok szélessége is. A találmány szerinti eljárással a tranzisztorok előállításánál az ötvözőrétegnek a technológiai rétegstruktúra kialakítása során történő maratásával határozzuk meg. a szennyezett terület nagyságát. Ez a terület lesz például egy bipoláris tranzisztorban a bázis-tartomány. A diffúzió lejátszódása és a szigetelőréteg kialakítása után végezzük el mikron vagy annál kisebb méretű ablakok kialakítását. Ezek a diffúziós zónákkal fedésben vannak. Az ablakok szélességét és egymástól mért távolságaikat a találmány szerinti megoldásnál nem a fotolitográfiai módszer pontossága határozza meg, hanem kémiai folyamatok pontossága- így az ablakok a szennyezett tartományok széleihez közelebb helyezkedhetnek el. A találmány további részletei kiviteli példákon, rajz segítségével ismertetjük. A rajzon az la ábra a találmány szerinti eljárás egy foganatosítási módjánál alkalmazott technológiai rétegstruktúra kialakításának első lépése, az lb ábra a rétegstruktúra kialakításának második lépése, az le ábra a rétegstruktúra kialakításának harmadik lépése, a 2. ábra a találmány szerinti maszkolóréteg felvitele, a 3. ábra a találmány szerinti eljárással készített félvezető elem alapkristálya, a technológiai rétegstruktúrával, a diffúzió és a termikus oxidáció lejátszódása után, a 4. ábra a kialakítandó ablakok helyzetének behatárolását mutatja metszetben, az 5. ábra ugyancsak az ablakok elhelyezkedését mutatja fölülnézetben, a 6. ábra a technológiai rétegstruktúra képe az egyik rész eltávolítása után, a 7. ábra két ablak nyitását mutatja a találmány szerinti eljárással, a 8. ábra a találmány szerinti félvezető elemet mutatja az alapkristályra felvitt technológiai rétegstruktúrával, a kialakított ablakokon át lejátszódott diffúziók után, a 9. ábra az eljárással kialakított struktúra az ablak kialakítása után metszetben, a 10. ábra az eljárással kialakított struktúra az ablak kialakítása után fölülnézetben, a 11. ábra a találmány szerinti eljárással előállított tranzisztor struktúrát mutat a találmány szerint kialakított fémes réteggel, a 12a) ábra a technológiai rétegstruktúra kialakításának első lépését mutatja a találmány szerinti eljárás egy másik foganatosítási módjánál, a 12b) ábra a rétegstrukrúra felvitelének második lépése, a 12 c) ábra a technológiai rétegstruktúra felvitelének harmadik lépése, a 12d) ábra a technológiai rétegstruktúra felvitelének negyedik lépése, a 13. ábra a találmány szerinti eljárással készített félvezető elem felülnézete, a technológiai rétegstruktúra kialakítása előtt felvitt maszkolóréteggel, a 14. ábra a 13. ábrán bemutatott félvezető elem metszete, a 15. ábra maszkolórétegre felvitt technológiai struktúrát tartalmazó alapkristály felülnézete, a 16. ábra a 15. ábrán bemutatott félvezető elem XVI- XVI metszete, a 17. ábra a 15. ábrán bemutatott félvezető elem XVII— XVII metszete, a 18. ábra egy kész tranzisztorstruktúra metszete, a 19. ábra a 18. ábrán bemutatott tranzisztorstruktúra felülnézete, a 20a) ábra technológiai rétegstruktúra kialakításának első lépése egy további foganatosítási mód szerint, a 20b) ábra a technológiai rétegstruktúra kialakításának második lépése, a 20c) ábra a rétegstruktúra kilalakításának harmadik lépése, a 21. ábra szigetelőréteg kialakítását mutatja a találmány szerinti eljárással, a 22. ábra a technológiai rétegstruktúra egy részének eltávolítása, a 23. ábra az ablak kialakításának módja, a 24a) ábra a technológiai rétegsrtukrúra kialakítása a találmány szerinti eljárásnak ismét egy másik foganatosítási módja szerint, a 24b) ábra a technológiai rétegstruktúra kialakításának második lépése, a 24c) ábra a technológiai rétegstruktúra kialakításának harmadik lépése, a 25. ábra a szigetelőréteg kialakítása, és a 26. ábra az ablakoknak szelektív maratással történő kialakítását mutatja be. 8 1. példa Az 1—11. ábrákon mutatjuk be a találmány szerinti eljárás egy célszerű foganatosítási módját, amelynek során a technológiai rétegstruktúrát négy rétegből alakítjuk ki. Az ablakok magasságát járulékos maszkolóréteg segítségével állítjuk be. A járulékos maszkolóréteget a rétegstruktúrára visszük fel, és az eljárás során a szigetelőréteget az alapkristály oxidálásával alakítjuk ki. Az la. ábrán látható 1 félvezető alapkristályra 2 ötvözőréteget viszünk fel. Az 1 félvezető alapkristály n-vezetési típusú epitaxiális réteggel ellátott szilícium egykristálylap, amelynek fajlagos ellenállása 1,0—1,5 ohm cm. A 2 ötvözőréteget olyan bórszilikát üvegből alakítjuk ki, amely mintegy 3 súly% bóroxidot tartalmaz. A 2 ötvözőréteg vastagsága körülbelül 0,13 mikron. A 2 ötvözőréteget 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 4
