171264. lajstromszámú szabadalom • Eljárás fém-oxid félvezető (MOS) tranzisztorok előállítására

13 171264 14 és gate-tartományok felett ismert fotolitográfiai maszkírozási módszerekkel eltávolítjuk. Ezután kiválasztott P—típusú szennyezéssel, például borral a source-, drain- és gate-tartományok felső felülete fölött ion-implantációt végzünk. Ezt az implantációt egy jellegzetes kiviteli alaknál körülbelül 1000 angstrom vastagságban végezzük el, bár adott célokra szükség esetén egyéb vastagságok is választhatók. Az ion-implantációt jellegzetesen 50 KeV-os energiaszinten végezzük. Ezen ion-implantáció eredményeként a félvezető 11 alap felső felületének közelében a 11 alap domináns vezetési típusával ellentétes vezetéstípusú vékony réteget képezünk ki. Ez a réteg csatornaként hat a kiképzendő source- és drain-tartományok között, amely tartományok vezetéstípusa a 11 alapével azonos. Az ion-implantált réteg így nagyobb mértékben elősegíti a kiürítéses üzemű MOS tranzisztor előállítását, mint az előzőekben leírt üzemű MOS tranzisztor. Az eljárás a továbbiakban az előzőek szerint folytatódik. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás fém-oxid-félvezető (MOS) tranzisztorok előállítására, amely eljárás során az alábbi lépéseket végezzük el: félvezető anyagban source- és drain-tartományt képezünk ki; a source- és drain-tartományok között gate-elektródot képezünk ki, a gate-elektródot a source-és drain-tartományok között a félvezető anyagtól gate-szigetelés egy rétegével választjuk el; az eszköz inaktív tartománya fölé vastag inaktív 5 tartományi szigetelést képezünk ki; a source- és drain-tartományokhoz, valamint a gate-elektródhoz konduktív kontaktust képezünk ki, azzal jellemezve, hogy a gate-szigetelést az inaktív tartományi szigetelés kiképzése előtt hozzuk 10 létre. 2. Fém-oxid-félvezető (MOS) tranzisztor szerkezet, amely source- és drain-tartományt tartalmazó félvezető anyagot; a félvezető anyag felületének a source- és drain-tartomány közötti ré-15 szét fedő első szigetelőréteget; a félvezető anyagnak a source-tartományát és a drain-tartományát, valamint a source- és drain-tartományok közötti tartományát körülvevő részeit fedő és az első szigetelő réteggel érintkező második szigete-20 lő réteget; a source- és drain-tartományok közötti gate-szigetelés felett kiképzett gate-elektródot; a source- és drain-tartományok, a gate-elektród és a második szigetelő réteg felső felületeit fedő passziváló anyagot; és a passzivá-25 ló réteg nyílásain keresztül a source- és draintartományokkal, valamint a gate-elektróddal érintkező ki vezetőket tartalmaz, azzal jellemezve, hogy a második réteget az első réteggel öszszekötő szigetelő anyag a második szigetelő ré-30 teg vastagságáról fokozatosan az első szigetelő réteg vastagságáig keskenyedik. 2 rajz, 2 ábra A kiadáséit felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 78.5771.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató