170805. lajstromszámú szabadalom • Eljárás IG-FET tranzisztorok előállítására

170805 Nemzetközi osztályozás : H 01 L 29/78 a. SM b. K^V^I K\\\\\v -ESS3-l\\\\H-Si3

N^ nSi SiO, A sss n-Si ww -SM 3'H )Si A\\\\\ ^~>~ .WW? \ •.\wr\-K ^~>~ \ -"" \ ' .. . • • n-Si Si3

N± SUN\ \W\\ pSi pSi / nSi f 1/ / / v-5/3

A/

4 //•/// 7/77, pySi ////////// ± zz n~Si -SiO, 9-p-Si d-2 7 7///// izá p-vS/ rejtett SiOz nSi SiO, 3. ábra