169337. lajstromszámú szabadalom • Mágnesfej
5 169337 6 gén vagy vízgőz jelenlétében kis nyomáson elgőzölögtetjük. Ellenőrzés útján szabályozzuk az SiO elgőzölögtetésének mértékét, az oxigén vagy gőz tartalmát a zárt környezetben, aminek következtében az SiO, vagy Si02 anyagú réteget kapunk, miközben az anyag mindkét keverék alkotójának fázisán átmegy. Az SiO tágulási együtthatója 100 • 10-7 nagyságrendű C-fokonként, míg az Si02 tágulási együtthatója -szintén C-fokonként- 2,5 • 10~7 . A hordozó réteget alkotó üveg anyagát tehát 20 és 85 • 10 "7 tágulási együtthatójú anyagból kell kiválasztani. Ezen a réven tudjuk biztosítani azt, hogy megfelelő keverési arány mellett - a védelmül szolgáló réteg a hordozó rétegével pontosan azonos tágulási együtthatóval rendelkezzék. A 6 elsődleges védőréteg szabadon hagyja a tekercs 3 kivezetését, amelynek kifelé haladó szakasza meg van vastagítva. E megvastagítás mértéke kb. 10 mikron, hogyha a mágneses fej teljes vastagságát 50 mikronban, s a tekercs méretét 10 mikronban választjuk meg. Az elsődleges védőréteg szigetelő anyaga előnyösen vastagabb mint az 5 vezetőréteg, mely utóbbi általában lapos kivitelű, tekintettel arra, hogy a találmány szerinti megoldásnak megfelelően a primer védelmet jelentő szigetelőanyagon kívül a teljes szerkezet egy ún. szekunder-védelemmel is fel van szerelve. Ezt a következő ábrákon látjuk, mégpedig egy dielektromos tulajdonságú 13 másodlagos védőrétegkénti lemez alakjában, melynek anyaga előnyösen azonos a dielektromos 1 hordozóréteg anyagával. Az 1. ábrán példaképpen mutattuk be azt, hogy a primer védelem célját szolgáló 6 elsődleges védőréteget kezdetben vastagabb rétegben alakítottuk ki annál a rétegnél, ahol az 5 vezetőréteggel erősítettük össze. Szükséges tehát ennek a rétegnek a megfelelő méretre hozása, amit úgy hajtunk végre, hogy a 6 elsődleges védőréteget lecsiszoljuk a 12 nyíllal jelzett rétegvastagságig. Ennek a szerkezeti elrendezésnek a célja jobban megérthető a 4. ábrából, amely keresztmetszetben mutatja be az 1-3. ábrák szerinti konstrukciót. A 4. ábrán jól látható, hogy a védelmi célokat szolgáló réteg, vagyis a 6 elsődleges védőréteg burkolatként takarja a hordozórétegen levő mágnesréteget és pontosan kitölti az 1 hordozóréteg, valamint a 13 másodlagos védőréteg lemez közötti teret, mind a 2., mind a 3. ábrákon látható szerkezet esetében. Természetesen ugyanez vonatkozik a 6 elsődleges védőrétegnek a 12 nyíllal jelzett vastagságára is. Nem feltétlenül szükséges az, hogy a 6 elsődleges védőréteget pontosan így alakítsuk ki, de az lényeges, hogy védőréteg szigetelő anyagának felülete az 5 vezetőréteg szintjével azonos legyen, hogy az így kapott felület optikai csiszolása után a 13 másodlagos védőréteglemezt pontosan lehessen illeszteni és utána rögzíteni. A 4. ábrán látható metszetrajzon jól látható, hogy a 6 elsődleges védőréteg a 2 mágnesrétegek elhelyezése végett hullámalakban van kiképezve. Az 1. ábrán pedig azt látjuk, hogy mind a mágneses rétegek mind a védelmi célokat szolgáló rétegek a szükséges méretnél hosszabbra vannak kialakítva. Ez meghosszabbítás, illetve 7 nyúlvány, melynek szemléltető méretarányát a 11 nyíllal jeleztük, arra szolgál, hogy a rétegszerkezeten csiszolás esetén kellő ráhagyás legyen. Ez különösen 5 akkor előnyös, ha —amint a 6. ábrán látható— a szerkezet több rétegből van felépítve és ezeket úgy kell lemunkálni, hogy a mágneses rétegek csatlakozása és a közöttük levő rétegek rögzítése megfelelő legyen. 10 A 13 másodlagos védőréteg lemez, amely a 6 elsődleges védőrétegre és az 5 vezetőrétegre van ráhelyezve, rögzíthető úgy is, amint a 2. vagy 3. ábrokon bemutattuk. Bármelyik rögzítési mód lehetővé teszi azt, hogy a 13 másodlagos védőréteg 15 lemez és az általa rögzített rétegszerkezet egymáshoz képest ne csússzanak el. Amint említettük, a 13 másodlagos védőréteg lemez ugyanolyan anyagú, mint a hordozóréteget alkotó dielektromos anyag, vagy legalábbis hőtágulási együtthatója ez utób-20 biéval azonos. Sőt, e hőtágulási együtthatónak olyan értékűnek kell lennie, hogy a mágnesfejnek a megfelelőképpen méretezett szerelvényhez történő rögzítése alkalmával is érvényesülnie kell. Bizonyos esetekben - mint később még látni fogjuk - elő-25 nyös, ha a 13 másodlagos védőréteg lemez azonos vastagságú a primer védelmi célokat szolgáló dielektromos 1 hordozóréteg vastagságával, amelynek milliméteres a nagyságrendje. 30 A 2. ábrán látható kiviteli példa szerint a másodlagos védelmet képező lemez ragasztva van, mégpedig rideg szerkezetű műgyantával, például epoxigyantával, amely mint 19 kötőanyag - legalább részben - ki tudja tölteni a 6 elsődleges 35 védőréteg és az 5 vezetőréteg közötti hézagot. A kötés hatékonyságának növelése végett a 13 másodlagos védőréteg lemez felületét fel lehet érdesíteni — önmagában ismert eljárással — s ezt a műveletet tömeggyártásszerüen is lehet végezni. 40 A 3. ábra szerinti kiviteli példán azt látjuk, hogy az csatlakozó 5 vezetőn előzetesen egy 17 szigetelő réteg van kialakítva, miután például elgőzölögtető eljárással a csatlakozó 5 vezetőt a mág-45 neses fejhez hozzáforrasztottuk. A 6 elsődleges védőrétegre és a 17 szigetelő rétegre van helyezve egy 15 réz-réteg. Ugyancsak réz az anyaga a 16 alsó bevonórétegnek, amely a 13 másodlagos védőréteg lemez alsó felületén van, s a két, ily módon 50 elválasztott réteget egy 14 hegesztési varrat köti össze, melynek alacsony olvadási pontja van. Ez lehet például ólom vagy olyan ólomötvözet, melynek olvadási pontja 200 C° alatt van. Az előzőkben leírt kiviteli példákban a mágnes-55 fejek villamos és mágneses vonatkozásban egyaránt le vannak árnyékolva. Evégből az adott rétegeket alkotó lemezeket vékony védőréteggel vontuk be, mely váltakozva lehet réz és vas-nikkel ötvözet, melyet általában permalloy-nak is neveznek. Ha 60 ilyen védőréteget viszünk föl az adott réteg belső felületére, akkor a mágnesfejek kialakítása előtt szigetelőréteggel fedjük be. Nyilvánvaló, hogy az árnyékoló réteg a 2. és 3. ábrákból már megismert réteg-szerkezetet nem változtatja meg. (A 16 alsó 65 bevonóréteg be is hatolhat az árnyékoló rétegbe.) 3
