167324. lajstromszámú szabadalom • Eljárás nagy elemsűrűségű uni- és bioporális félvezetőeszközök előállítására ionimplantációvgal

5 167324 6 a szigetelő keret és a kollektor diffúzió közötti távolságot az epitaxiális réteg vastagságának az 1—1,5 szeresére választjuk. 5. Az 1. igényont szerinti eljárás változata, azzal jellemezve, hogy térvezérlésű unipoláris eszköz készítésénél a diffúziók helyett ion-implantációt és az implantált ionok aktiválására 500-1000 C° közötti hőkezelést alkalmazunk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 766091 - Zrínyi Nyomda 3