167114. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető testek kémiai felületkezelésére
167114 8 300 C°-on 1,0 M vastag Si02 réteget porlasztunk a szeletek oldalára. A következő lépés szokásos fotolitográfiai művelettel diffúziós ablakok nyitása a porlasztott kvarc rétegben. A fotoreziszt lakk eltávolítása után a szeleteket kémiai tisztításnak vetjük alá. Hidrogénperoxidos főzés után vizes mosással eltávolítjuk a vegyszermaradékot. 1 perces l:20 = HF:H2 O elegyben marjuk, majd 6 gr HJ04 • 2H 2 0 + 3 ml HF(48%) + 40mlH2 O összetételű oldatba helyezzük. Az oldatból kiemelve a szeleteket kétszer desztillált vízzel leöblítjük és száraz, szűrt N2 sugárgan fújva leszárítjuk. A szeleteket ezután kvarcampullába helyezzük és megfelelő mennyiségű Zn és As bemérése után az ampullát vákuumberendezés csonkjára szereljük, majd a szivattyúkat rákapcsoljuk és az ampullát leszívjuk 10"s Torr értékre, ekkor a kvarcampullát kívülről ráhúzott fűtőtesttel 400 C°-ra melegítjük és 1 óráig fűtjük. A kifűtés után a szivattyúzást addig folytatjuk, amíg a vákuum értéke a 10"6 Torr-t eléri, akkor a kvarcampullát leforrasztjuk. A szivattyúról leválasztott ampullát 700 C°-on 2 óráig hevítjük, aminek hatására Zn diffúziós réteget nyerünk a nem maszkolf területek alatt. A vákuumampullát feltörve a szeleteket kiszedjük és kémiai tisztítás után galvanikus nikkelréteget választunk a szeletek hátoldalára. Ezután a szeleteket ismert módon történő szerelésre adjuk. Az ismertetett példák a találmány foganatosításának csupán egy-egy lehetséges módját mutatják be, alkalmazása — természetesen — még sok más variációban is lehetséges. Röviden összefoglalva találmányunk legfőbb előnyének, a megtisztított félvezető felület tiszta állapotának egyszerű, megbízható és jó megőrzését tartjuk, továbbá a tiszta felületet biztosító új vegyi reakció könnyű kezelését, valamint a jód bevonat egyszerű és káros utóhatás-mentes eltávolíthatóságát. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető testek hőkezelést és/vagy 10 vákuumkörnyezetet igénylő műveleteket megelőző kémiai felületkezelésére és a műveletekhez való előkészítéséhez azzal jellemezve, hogy a nevezett művelet(ek)et megelőzően a félvezető testet a kémiai előkészítő felületkezelés önmagában ismert 15 zsíreltávolításból, felületnedvesítésből, savas és/vagy lúgos kezelésből, szerves oldószeres, illetve vizes mosásból és szárításból álló fázisainak alkalmazásán kívül, vagy ezek részleges vagy teljes elhagyása mellett 5 másodperctől 5 percig terjedő időtartamra 20 25 gr - 1000 gr HJ04 +25 ml - 200 ml HF +1000ml H2 O - oldatba mártjuk, az oldatból kiemelve vízben leöblítjük és megszárítjuk, majd a félvezető testet a nevezett művelet reakcióterébe helyezzük, és a nevezett művelet megkezdése előtt a félvezető 25 testet vákuum, vagy H2 és/vagy közömbös gáz atmoszférában 100-800 C° hőmérséklettartományban 10-120 percig hevítjük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási •módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető test 30 alapanyagaként a periódus rendszer IV. oszlopába tartozó elemet alkalmazzuk. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető test • alapanyagaként a periódusos rendszer III. és V. osz-35 lopába tartozó elemek vegyületét alkalmazzuk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 4 766070 - Zrínyi Nyomda
