166797. lajstromszámú szabadalom • Eljárás vékonyrétegű kondenzátor előállítására

166797 9 rétegén egy 3840 Á vastagsága porlasztott, nitro­génnel doppolt /3-tantál réteg alakult ki. Ennek a rétegnek a nitrogéntartalma — mint ezt spektro­fotometriás analízis útján megállapítottuk — leg­alább 3,5 atom% volt. 5 b) A 2. a) kiviteli példában leírt módon jártunk el, azzal a különbséggel, bogy a 2. a) kiviteli példa szerint nitrogénnel doppolt ^-tantál réteggel bevont szubsztrátumokat a 2. és 3. ábrák szerinti konden­zátorok gyártására használtuk fel. io A kapott, nitrogénnel doppolt /?-tantál réteges kondenzátorokat egyenként 50 V egyenáramú fe­szültség alá helyeztük egy percre, 25 °C-on, ós kóboráramméréseket végeztünk. A kondenzátorok átlagosan 0,37 xlO-9 A kóboráram-erősséget mu- 15 tattak. Ilyen körülmények között a megengedhető kóboráram-erősség 11X10-9 A/kondenzátor. A fenti kiviteli példák csupán szemléltetik a ta­lálmányt. A szakember számára fenti kitanítások különböző módosításokra és változatokra nyújta- 20 nak lehetőséget, ezek azonban lényegében a talál­mány elvét ós célját valósítják meg. Szabadalmi igénypontok 25 1. Eljárás javított vékonyrétegű kondenzátor elő­állítására, melynek során valamely szubsztrátumra filmképző fémből vékony elektródaréteget válasz-10 tunk le, majd porlasztásnál kisnyomású gaztórben /?-tantált eredményező ismert körülmények között /?-tantál kristályszerkezetű vékonyréteget válasz­tunk le, a dielektromos oxidréteg kialakítása érde­kében a /?-tantált legalább részben anódosan oxidál­juk, ós erre vezető ellenelektródát választunk le, azzal jellemezve, hogy a porlasztást közömbös gáz­ból ós nitrogénatomokat tartalmazó reaktív gázból álló térben végezzük és a gáztér nitrogónatom­koncentrációjának szabályozásával a leváló /?-tantál réteget 0,1—10 atom% nitrogénnel doppoljuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a vékony elektróda­réteget is nitrogénnel doppolt /3-tantálból alakít­juk ki. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás fogana­tosítási módja, azzal jellemezve, hogy a nitorgónnel doppolt vékony /S-tantál réteg előállítására tantált porlasztunk valamely közömbös gázt tartalmazó kisnyomású gaztórben, ahol az említett közömbös gázhoz nitrogénatomokat tartalmazó gázt jutta­tunk ós az utóbbi koncentrációját olyan értékűre szabályozzuk, amely a leválasztott vékonyréteg minden 9—999 tantálatomja közé egy nitrogén­atom beviteléhez szükséges. 4. A 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy nitrogénatomokat tartalmazó gázként nitrogént vagy ammóniát alkal­mazunk. 1 rajz A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 76.0077 — Kossuth Nyomda, Budapest. F.v.: Monori István vezérigazgató 5

Next

/
Thumbnails
Contents