164865. lajstromszámú szabadalom • Integrált kapcsolási elrendezés schottky-kollektoros tranzisztorral és eljárás ennek előállítására
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1971. V. 28. (AE-341) Német Demokratikus Köztársaság-beli elsőbbsége: 1970. V. 29. (WP H 01 1/147 800) Közzététel napja: 1973. XII. 28. Megjelent: 1975. X. 31. 164865 Nemzetközi osztályozás: H 01 1 19/00 Feltaláló: JORKE Günter mérnök, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság -Integrált kapcsolási elrendezés Schottkykollektoros tranzisztorral és eljárás ennek előállítására í A találmány integrált kapcsolási elrendezés Schottky-kollektoros tranzisztorral, amely különösen nagy kapcsolási sebességű digitális kapcsolások megvalósításához alkalmas, valamint eljárás annak előállítására. 5 Bipoláris tranzisztor szerkezeteket fém-félvezető Schottky-gátakkal vagy hetero-pn-átmenetekkel homo-kollektorbázis-pn-átmenet helyett már javasoltak. Ezen félvezető elemek nagy átkapcsolási 10 sebességükkel tűnnek ki, mivel telitéses üzemben a kollektortartomány töltéstárolása és a kollektortartományból a bázistartományba történő visszainjektálás nem következik be. Az egyik javasolt elrendezésnél az epitaxiális bázis réteg nagyfelüle- 15 tü emitterként ható félvezető testre van elhelyezve, és rajta záró fém-félvezetőkontaktus van kiképezve. Integrált . félvezető-elrendezésekben ez ideig Schottky diódákat alkalmaztak. Ezeket korlátozó 20 diódáknak is használják tranzisztorok kollektor-bázis átmenetéhez. így a tranzisztor tulvezérlése messzemenően elkerülhető. Ezen elrendezéseknek azonban nagy kollektor-bázis kapacitásuk és nagy helyigényük van. Javasolták ezenkivül integrált 25 Schottky-kollektoros tranzisztorok laterális tranzisztor elrendezések általi megvalósítását is. Így igen kis erősitések érhetők csak el. Már javasoltak eljárásokat integrált bipoláris- tranzisztorelrendezések előállítására, amelyek 30 alapján Schottky-kollektorral kialakított integrált kapcsolási elrendezések továbbfejleszthetők. Ezen eljárásoknál az épitó'elemtartományokat diffúziós és epitaxiális technikák által egy egykristályos félvezetőtesten belUl hozzák létre és ezek felszinét fémkontaktusokkal látják el és ezt a fél-' vezetőtestet hordozótesttel történt összekötés után az első tranzisztortartományok szabaddá tételéig lehordják és a tranzisztorelemeket ezen az oldalon érintkeztetik a fém kivezetőhuzallal. A találmány célja olyan integrált kapcsolási elrendezés előállítása Schottky-kollektoros tranzisztorral, amely igen gyors digitális kapcsolások megvalósítására alkalmas és egy vagy több sikban rendezhető el. Feladatunk olyan integrált kapcsolási elrendezés előállitása Schottky-kollektoros tranzisztorral, amely igen kis kapcsolási időkkel és nagy áramerősitéssel rendelkezik. Ezenkivül olyan egyszerű eljárást is javasolunk, amely lehetővé teszi ezen elrendezések előállítását ellenállásokkal és diódákkal együtt a tokon belül elhelyezett elemek számának növelésével. A találmány szerint a feladatot azáltal oldjuk meg, hogy egykristályos félvezetőtestben vagy egykristályos félvezetőrétegben a félvezetőrétegtől eltérő anyagú szubsztrátumon a bázistartományok szennyezőjével megegyező szennyezővel erősen szennyezett emittertartományokat és ezzel egyidejűleg ezek körül gyUrUalaku tartományokat diffun-164865 1
