164648. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető szerkezeti elemek előállítására
5 164648 6 tényezőjű akceptorokat, vagy azonos akceptorelemeknél a két 4 és 5 szennyezett Si02 rétegben különböző felületi koncentrációt alkalmazunk. Lehetséges az egyszeresen és a kétszeresen szennyezett Si02 réteg leválasztása, sorrendjének felcserélése is. Alkalmazhatunk továbbá a szennyezett Si02 rétegek helyett más szennyezett szervetlen rétegeket is diffúziógátló és felületpasszíváló hatással. Donor-akceptor kombinációként npn-szilícium-planártranzisztorok előállításához alkalmas arzén/bór, arzén/gallium, antimon/bór, antimon/gallium, antimon/indium, arzén/indium, pnp-szilícium-planártranzisztorok előállításához foszfor/indium, és pnp germánium planártranzisztorok előállításához foszfor/bór és foszfor/indium. Alkalmas kombináció npn germániumplanártranzisztorokhoz nem ismeretes. A bázistartománynál a kontaktellenállás javítása céljából, további maszkolási folyamat és további szennyezett Si02 réteg felhasználásával a 10 báziskontaktusablak alatt erősen szennyezett kontaktustartományt hozhatunk létre. Ehhez olyan szennyezőt alkalmazunk, amelynek diffúziós tényezője lényegesen kisebb, mint a bázisdiffúzióhoz használt szennyezőé. Pnp-planártranzisztornál ehhez arzént vagy antimont alkalmazhatunk nagy koncentrációval. Emellett tekintetbe kell venni, hogy ez az erősen szennyezett báziskontaktustartomány ne legyen szorosan az emittertartomány mellett, mivel ez az emitter-bázis átütési feszültséget csökkentené. P-csatornásplanár-záróréteg-térvezérlésű tranzisztor előállítását a 2. ábrán ismertetjük. 2 diffúziós maszkkal lefedett n-vezető 1 félvezető lapon egyszerű — például borral szennyezett — 13 Si02 réteget választunk le és fotólakk tapadómaszkkal végzett maszkolás által, amelyet a rajzon nem ábrázoljunk, 15 ablakokkal látjuk el (2a. és b ábra). Azután, a felszínt kétszeresen - például borral és arzénnal - szennyezett 14 Si02 réteggel fedjük be (2c. ábra). A diffúziós folyamat alatt képződik az n-típusú gyűrűformájú 24 gateterület, valamint a p-típusú 22 és 23 source és drainterület. A kontaktusablak szabaddá tevése a 19 source-hoz, a 20 gátéhoz és 21 drainhez (2d. ábra) után fémréteget választunk le, amelyből szelektív maratással a 16 source-kontaktust, 17 gate-kontaktust és 18 drain kontaktust hozunk létre. 2 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 756159-Zrínyi Nyomda Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető szerkezeti elemek előállítására két közvetlenül szomszédos sík pn-átmenettel a planártechnika alapelvei szerint, szennyezett diffúziós forrásként ható felületi rétegek alkalmazásával, azzal jellemezve, hogy ablakot (7) tartalmazó diffúziósmaszkkal (2) fedett egyik vezetőtípusú félvezetőegykristálylap (1) felületén úgy akceptorral, mint donorral szennyezett szilíciumdioxidréteget (4) választunk le, a másik vezetőtípust létrehozó szennyezőnek nagyobb diffúziós tényezője van (és a félvezető felületén kisebb koncentrációval van jelen), mint annak a szennyezőnek, amely a félvezetőkristállyal (1) megegyező vezetőtípust hoz létre, a kétszeresen szennyezett szilíciumdioxidréteget (4) maszkolási folyamat alkalmával ablakokkal (8) látjuk el, az ablakok (7, 8) részben átlapátolódnak, és végül a felületen második, egyszeresen szennyezett szilíciumdioxidréteget (5) választunk le, amely ugyanazt a szennyezőt, nagyságrendileg ugyanolyan koncentrációban tartalmazza, mint a kétszeresen szennyezett szilíciumoxidréteg a másik vezetőtípus előállítására, ezután diffúziós folyamatot hajtunk végre, majd kontaktusablakokat (9, 10) nyitunk és a különbözően szennyezett területekre csatlakozókontaktusokat viszünk fel. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy először az egyszeresen szennyezett szilíciumdioxidréteget (5) választjuk le a diffúziós maszkra (2), ablakokkal látjuk el, és ezt követően választjuk le a kétszeresen szennyezett szilíciumdioxidréteget. 3. Az 1—2. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy szennyezett szilíciumdioxidrétegek helyett más szennyezett, szervetlen, diffúziógátló és felületpasszíváló hatású rétegeket alkalmazunk. 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy további maszkolási és rétegleválasztási folyamat által a kontaktusablakok (10, illetve 19 és 21) körzetében további, az aktív bázistartománnyal (12) megegyező vezetőtípusú, kisebb behatolási mélységű és nagyobb felületi koncentrációjú tartományokat hozunk létre.
