164167. lajstromszámú szabadalom • Eljárás katódoldali rövidrezárt "P" típusú tartományokkal rendelkező szilicium vezérelt dióda "P- N-P-N" átmenet előállítására

7 164167 8 0,5-5 perc, a tirisztor típustól függően. A kályha vákuum értéke az előbbivel megegyező. A 14 molibdéngyűrűt keményforrasztással kötjük az együtteshez. Az előző I, II hőkezelések alatt elkészült együttest a 20 grafittömb üregébe helyezzük, majd a 26 grafitgyűrű segítségével a 14 molibdéngyűrűt helyezzük be, melyre 27 ne­hezéket teszünk (9 ábra). A 14 molibdéngyűrű keményforrasztását ugyan­csak vákuumban célszerűen 5X 10"4 —5 X 10"6 tartományban, a tirisztor típustól függően 360-55 C° hőfoktartományban végezzük. A for­rasztás időtartama célszerűen 5-30 perc. A kész átmenetet ismert módon u.n. ,p-n" átmenet maratásnak vetjük alá, amikoris lemarjuk mégegyszer a ferde csiszolatokat. Ezt a maratást célszerű 5-20% káliumhidroxidban végezni 85 C° környezetben. Mérés után az átmeneteket különböző mosási eljárásnak kell alávetni, hogy a maróoldat nyomait is eltüntessük. E mosás utolsó fázisában az átmeneteket ioncserélt vízben ultra­szónikusan mossuk, majd centrifugába téve a vizet eltávolítjuk a felületről. Ezután az átmeneteket száraz levegőben hevítjük kb. 200C°-on 1-2 óráig, majd lehűlni hagyjuk. Az átmeneteket végül 28 védőlakkal vonjuk be, s azt a szükséges módon beégetjük. A felületileg védett átmenetet védőgázas szek­rényben tokozzuk le (11. ábra). Először 31 vezérlő elektróda kivezetését forrasztjuk fel, majd az átmenet 29 bázistönkre forrasztjuk. Ezután a 30 belső atveze­tőt, majd a 32 toksapkát forrasztjuk be. V'.gül össze­préseljük a 30 belső .átvezető, a 33 külső elvezető csat­lakozási helyeit, továbbá a 31 vezérlő elektróda elve­zeteinek a 32 tokon lévő csövét. Szabadalmi igénypontok: 1 Eljárás katódoldali rövidrezárt „p" típusú tartományokkal rendelkező sdlicium vezérelt dióda „p-n-p-n" átmenet előállítására, melynél „p" típusú diffúziós réteggel ellátott „n" tipusú szili­ciumlemezt (10) „p-n-p" átmenetté csiszolunk, az átmenetet karakterisztika maratásnak vetjük alá, 5 és a katódoldali „n" tipusú réteget ötvözéssel állítjuk elő, majd az így létesített négy réteget „p" típusú ohmos kontaktusokkal (13,15) és „n" típusú ohmos kontaktussal (14) látjuk el, azzal jellemezve, hogy az „n" réteg ötvözése előtt a 10 „p" típusú csatornák biztosítása érdekében a katódoldali „p" tipusú diffúziós réteg előírt helyeire nikkel, vagy réz vezetőréteget (12) vi­szünk fel és az „n" tipusú réteg ötvözését arany-antimon ötvözettel végezzük. 15 2. Az 1 igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a „p-n-p" átmenet felületét a diffúzió alatt, vagy után, szilicium­dioxid, vagy sziliciumnitrid (11) réteggel látjuk el 20 és a vezetőréteg (12) számára előírt helyeken eltávolítjuk. 3. Az 1 vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a katódoldali „n" típusú ötvözött réteget két 25 lépésben, két egymástól független hőkezelés alkal­mazásával hozzuk létre oly módon, hogy az első lépésben csak az anódoldali molibdénlemezt (15), az alumínium sziliciumötvözetből készült korongot (18), a sziliciumlemezt (10), az antimon tartalmú 30 aranykarikát (19), valamint az alumínium szilí­cium ötvözetből készült korongot (17), és molib­dén korongot (13) építjük össze egységgé a hőkezelés során, majd a második lépésben az ^előző együttest kiegészítjük egy további antimont 35 tartalmazó aranykarikával (19), amikoris az első hőkezelés hőmérsékletének minimuma 350 C°, míg a második hőkezelésé 550 C°. 4. A 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az „n" tipusú réteg 40 ötvözésekor az antimon tartalmú aranykarikára (19) alumíniumoxid korongot helyezünk. 9 rajz, 11 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 756083-Zrínyi Nyomda

Next

/
Thumbnails
Contents