163304. lajstromszámú szabadalom • Elektrolumineszcens félvezető eszköz és eljárás annak előállítására

5 163304 6 Egy másik ZnS réteg készítésénél megfelelő koncentrá­ciójú Mn vagy Cu-val aktivált ZnS porból indulunk ki. Aktivátor lehet valamely ritkaföldfém is. Ilyen módon a réteg elektrolumineszcens tulajdonságai javíthatók. Hasonló módon készíthető az aktiválatlan, vagy akti­vált ZnSe réteg, ha kiindulási anyag tiszta, vagy meg­felelő aktivált poralakú ZnSe. A fenti példák mellett egyéb An B VI rétegek is előállíthatók megfelelő poralakú An B VI kiindulási anyag pl. ZnS—ZnSe elegykristály alkalmazásával. Szabadalmi igénypontok 1. Elektrolumineszcens félvezető eszköz, amelynek elektrolumineszcens An B VI rétege van, azzal jellemezve, hogy az elektrolumineszcens AU B VI réteggel heteroát­menetet alkotó, 0,05 ohmcm-nél kisebb fajlagos ellen­állású n-típusú egykristályos szilícium rétege, az An B VI réteg szabad felületén pedig optikailag átlátszó vezető kontaktusrétege van, továbbá a szilícium réteghez és a kontaktusréteghez egy-egy elektród van csatlakoztatva. 2. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az n-típusú szilícium réteg 1000 ohmcm-nél nagyobb ellenállású p-típusú szilícium hordozókristályban van kialakítva, és a hordozókris­tályhoz további elektród van csatlakoztatva. 3. A 2. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a p-típusú szilícium hor­dozó kristályban párhuzamos n-típusú szilícium csíkok vannak kialakítva, és eme csíkos alakzaton helyezkedik el az összefüggő elektrolumiszcens An B VI réteg, amely­nek szabad felületén az n-típusú szilícium csíkokra merő­leges irányú, párhuzamos kontaktusréteg csíkok vannak, továbbá minden egyes szilícium és kontaktusréteg csík-, hoz egy-egy, a hordozókristályhoz pedig egyetlen elekt­ród van csatlakoztatva. 4. Az előző igénypontok bármelyike szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az elektro­lumineszcens An B VI réteg anyaga aktivált cinkszulfid, ahol az aktivátor mangán, réz vagy ritkaföldfém. 5. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az elektro­lumineszcens Ay B VI réteg anyaga aktivált cinkszelenid, vagy cinkszulfid-cinkszelenid elegykristály. 6. Az előző igénypontok bármelyike szerinti félvezető 5 eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a vezető kontaktusréteg arany-, indium-, óndioxid- vagy egymá­son levő arany és indium rétegből áll. 7. Eljárás az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz elő-10 állítására, azzal jellemezve, hogy egy vagy több egykris­tályos n-típusú szilícium lapkát zárt rendszerben kémiai maratással megtisztítunk, utána ugyanabban a zárt rendszerben a lapkára kémiai transzportreakcióval An B VI réteget növesztünk, majd az A n B VI rétegre ön-15 magában ismert módon optikailag átlátszó vezető kon­taktusréteget viszünk fel. 8. Eljárás a 2. vagy 3. igénypont szerinti félvezető esz­köz előállítására, azzal jellemezve, hogy n-típusú szilíci-20 um réteggel ellátott egy vagy több egykristályos p-típusú szilícium lapkát zárt rendszerben kémiai maratással meg­tisztítunk, utána ugyanabban a zárt rendszerben a lap­kára kémiai transzportreakcióval AlrB VI réteget növesz­tünk, majd az An B VI rétegre önmagában ismert módon 25 optikailag átlátszó kontaktusréteget viszünk fel. 9. A 7. vagy 8. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a kémiai maratást és a nö­vesztést úgy végezzük, hogy a zárt rendszer egyik részébe 30 a szilícium lapkát, másik részébe pedig cinkszulfidot, ammóniumfiuoridot és transzportáló anyagot helye­zünk, majd először a szilícium lapkát tartalmazó egyik részt 900—1100 °C, a másik részt pedig 600—700 °C hőmérsékleten, utána az egyik részt 600—700 °C, a má-35 sik részt pedig 750—900 °C hőmérsékleten kezeljük. 10. A 9. igénypont szerinti eljárás foganatosítási mód­ja, azzal jellemezve, hogy a kezelést három egymás mel­lett elhelyezkedő 900—1100 °C, 600—700 °C és 750— 40 900 °C hőmérsékletű hőzónával rendelkező kemencében végezzük oly módon, hogy a zárt rendszert a maratás után a kemencében egy hőzónával eltoljuk. 11. A 9. vagy 10. igénypont szerinti eljárás foganato-45 sítási módja, azzal jellemezve, hogy transzportáló anyag­ként ammóniumkloridot vagy jódot használunk. 1 db rajz, 2 ábra A kiadásért feíel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 75.3304.66-42 — Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató 3

Next

/
Thumbnails
Contents