163255. lajstromszámú szabadalom • Eljárás planár vagy mesa technológiával gyártott félvezető dióda elemek kontaktusainak kialakítására
3 163255 4 nal ablakokat nyitunk a diffúziós helyeken. A szeletek felületéről lúgos elektrolitban fellazítva ultrahangos mosással távolítjuk el a nikkelt. Erőteljesen gázt fejleszt és ezért célszerűen alkalmazható pl. a 40 g/l nátriumhidroxid, 60 g/l nátriumkarbonát és 10 g/l natriumcianid 5 tartalmú elektrolit 5—10 A/dm2 anódikus áramsűrűségnél. Ezután a kontaktusablakokban maradt nikkelre bármely ismert galvanikus ezüstfürdőből 50—100[jun magasságú kontaktusokat növesztünk. A kontaktusnövesztés idejének egy részében a hatol- 10 dalra egyenletes ezüstréteget választunk le. Tisztítás, szárítás után a szeleteket gyémánttűvel megkarcoljuk, elemekre törjük, és az elemeket tokba forrasztjuk. A találmány alkalmazása révén elérhető előnyöket az 15 alábbiakban foglaljuk össze; — az aktív oldali fölösleges kontaktusfém egyszerű eltávolítási módja, igényes fotoreziszt műveletet helyettesít, — az eljárás az ismert módszerekkel ellentétben nem 20 egyedileg, hanem egyidejűleg több szeleten egyszerre, tehát üzemszerűen alkalmazható, — a megfelelő fémet leválasztva a katódkontaktus nyomás és hőálló szubminiatűr tokozásra is alkalmas, — az eljárásunk szerint kialakított kontaktusok tapadá- 25 sa kiváló, a karcolás és törési művelettel szemben ellenálló. — az eljárásunk bonyolult berendezések használatát teszi feleslegessé, és jelentős munkaidő megtakarítást eredményez. 30 Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető — célszerűen Si — kristályszeleten planár vagy mesa technológiával előállított diódaelemek kontaktusainak fotosablonnal nyitott kontaktusablakban való kialakítására, azzal jellemezve, hogy a szelet mindkét oldalára a kontaktusok alapját képező fémréteget párologtatunk, majd az egyik oldalról a kontaktusablakok kivételével az oxiddal borított felületről elektrolit fürdőben előállított gázfejlődéssel az oxidon levő párologtatott réteget fellazítjuk, majd azt — célszerűen ultrahangos mosással — eltávolítjuk, majd a megmaradt diszkrét helyekre galvanikusan növesztünk kontaktusokat, a hátoldalra pedig a galvanikus növesztés ideje alatt, vagy annak egy részében egyenletes fémréteget választunk le. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a kontaktus alapját képező fémréteg kialakítását a nikkel, króm, vanadium, titán, molibdén, tantál, platina fémek valamelyikével, vagy ezek ötvözetével végezzük, galvanikusan pedig ezüstöt, rezet, nikkelt, ónt, ólmot, kadmiumot, cinket választunk le. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a vákuumban rágőzölt fémréteg eltávolítására használt elektrolit összetétele 40 g/l nátriumhidroxid (NaOH), 60 g/l nátriumkarbonát (Na2 C0 3 ) és 10 g/l natriumcianid (NaCN). A kiadásért felel: a Közgadasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 74.3299.66-42 — Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató 2
