162840. lajstromszámú szabadalom • Eljárás komplementer bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezetőelrendezés előállítására
162840 6 szabaddá tételéig lemunkáljuk. Az npn-tranzisztorok bázisrétegén belül a 8 kollektorrétegek vannak kialakítva. Ezt a szerkezetet mutatja be a 4. ábra. A szabaddá tett alsó felületet passzíváit réteggel és egy második 20 fémes érintkezéssel látjuk el. Ezáltal az 5. ábrán bemutatott szerkezeti elrendezést alakítottuk ki. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás npn és pnp komplementer bipoláris tranzisztorokat tartalmazó félvezetőelrendezések előállítására, mely tranzisztorok egy egykristályos, mindkét oldalon kontaktírozott rétegen belül vannak kialakítva és tartótárcsával vannak összekötve, azzal jellemezve, hogy önmagában ismert módon 10—100 Ohm cm fajlagos ellenállású egykristályos félvezetőrétegbe — amely hordozórétegen helyezkedik el —, vagy 10—100 Ohm cm értékű egykristályos félvezetőtárcsába (1) valamennyi pnp-tranzisztor kollektorrétegét (2) szelektív úton diffundáltatjuk, ezt követően n-típusú epitaxiális réteg (3) alá ágyazunk, majd temperálással, a kollektorréteget szennyezőanyagának egy részét az epitaxiális rétegbe (3) diffundáltatjuk, ezután az epitaxiális rétegen (3) a következő diffúzió maszkjaként passzíváit réteget (4) alakítunk ki, valamennyi pnp-tranzisztor bázisrétegét (7) gyűrűalakú, az epitaxiális rétegen keresztülnyuló p+ -típusú rétegdiffúzió útján szigeteljük és az npn-tranzisztorok kollektorrétegeit (8) egyeidejűleg ugyanilyen rétegdiffúzióval elhatároljuk, majd utána a pnp-tranzisztorok emitter-rétegeit 5 (10) és az npn-tranzisztorok bázisrétegeit (9) p-típusú diffúzió útján — melynek behatolási mélysége kisebb, mint az epitexiális réteg (3) vastagsága — a diffúziós rétegek (8) tartományán belül, végül az npn-tranzisztorok emitter^ 10 rétegeit (11) és ezzel egyidejűleg az pnp-tranzisztorok báziskontaktus rétegét (12) n-típusú diffúzió révén alakítjuk ki, majd ismert módon a félvetőtárcsa (1, 3) felső felületén az egyes alkatelemek kivezetéseihez csatlakozó fémes 15 összeköttetést (15) alakítunk ki, erre kötőréteget választunk le, majd ezt a kötőréteget tartótárcsával (17) kötjük össze, ezután a félvezetőtárcsák (1, 3) hátulsó oldalát mindkét típusú tranzisztor bázis- (7) kollektor- (2, 8) és szige-20 telőgyűrűig (5, 6) lemunkáljuk, majd ugyanúgy, mint a félvezetőtárcsa felső felületén, alsó felületén is fémes érintkezéseket (20) alakítunk ki. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosításí módja, azzal jellemezve, hogy az epi-25 taxiális réteg felvitele előtt a p-típusú rétegbe n+ -típusú diffúziós réteget alakítunk ki, a később kialakítandó kollektortartomány mellett. 3. Az 1., vagy 2. igénypontok szerinti eljárás 30 foganatosításí módja, azzal jellemezve, hogy a p- és n-típusú diffúziókat egymással felcseréljük. 2 rajz, 5 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7408488. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3
