162840. lajstromszámú szabadalom • Eljárás komplementer bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezetőelrendezés előállítására

MAGTAB NAPKÖZT ARSASAO ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADAL LEÍRÁS I Bejelentés napja: 1970. VIII. 21. (MO—770) Német Demokratikus Köztársaság-beli elsőbbsége: 1969. VIII. 22. (WP 21 g/142 037) Közzététel napja: 1972. XI. 28. Megjelent: 1974. XII. 31. 162840 Nemzetközi osztályozás: H 01 1 19/00 Feltaláló: Jorke Günter mérnök, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik cég, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Eljárás komplementer bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezetőelrendezés előállítására 1 A találmány eljárás komplementer bipolar tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezetőelrendezések előállítására, melyek különösen gyors működtetésű digitális kapcsolásokhoz és többrétegű félvezetőberendezésekhez alkalmasak. Integrált félvezetőberendezéseknek bipolar tranzisztorokkal való előállítására ismeretesek 10 azok az eljárások, melyek többrétegű félvezetőelrendezések kialakítására alkalmasak. Ennek az eljárásnak folyamán tranzisztorokból és ellenállásokból álló kapcsolásokba először gyűrűalakú, nagyszennyezésű bázisrétegeket, ezzel 15 egyidejűleg pedig az ellenállások kontaktusait a fél vezetőtárcsába, illetve -rétegbe viszik be. Az epitaxiális rétegeknek a gyűrűalakú réteg által határolt tartományában lapos bázisrétegeket alakítanak ki, melyek azonos szennyezési 20 típusúak és ezeket az ellenállástartományokba diffundáltatják. Ezután következik az emittertartományok diffúziója a bázisrétegeken belül, végül pedig a félvezetőtárcsának, illetve rétegnek a hátsó oldalát annyira lepoktatják, hogy 25 a bázistartományon belül lévő kollektorok, — egyszersmind azonban valamennyi bázis és ellenálláskontaktus szabaddá válik. Az így kialakított szerkezetet mindkét oldalon passziválják, majd a fémes érintkezéseket alakítják ki. 30 Ez az eljárás lehetővé teszi azt, hogy olyan félvezetőelrendezéseket lehessen előállítani, amelyekben a szerkezeti elemek egymáshoz képest igen szoros illesztéssel vannak elrendezve. Az integrációs' fok határait ezen eljárás mellett a hőelvezetés és a villamos vezetőképesség szabja meg. Az integrációs fok további emelése ezért megkívánja, hogy olyan kapcsolást alakítsunk ki, melynek kicsi a teljesítményvesztesége. Ez, továbbá a kapcsolási gyorsaság miatt támasztott követelmény akkor teljesül, ha komplementer bipolar tranzisztoros kapcsolási elrendezést valósítunk meg. A találmány segítségével azt a célt kívánjuk elérni, hogy olyan eljárást dolgozzunk ki, mely alkalmas integrált félvezetőelrendezéseknek komplementer bipolar tranzisztorokkal való előállítására, és az eljárás már ismert és javasolt módszereket egyesít magában. A találmány révén az^ a feladatot kell megoldanunk, hogy önmagában ismert, vagy már korábban javasolt olyan gyártástechnológiai lépéseket, vagy részeljárásokat foganatosítsunk, melyek együttesen integrált félvezetdelreridezéseknek komplementer bipolar tranzisztorokkal való előállítására alkalmas, az így előállított elrendezésekkel különösen gyors kapcsolásokat lehessen végrehajtani, emellett pedig a tranzisztorok előnyös kiviteli alakkal rendelkezzenek, 162940