162448. lajstromszámú szabadalom • Eljárás átlátszó vezetőréteg előállítására
162448 után a réteget oxigénből és semleges gázból álló atmoszférában 400—900 G 0 hőmérsékleten hőkezeljük. A találmány szerinti eljárásnál a párologtatást egyrészt nem a szokásos nagy vákuum mellett (1Ö-3 —10-6 torr), hanem kisebb, lO" 1 —10~ 3 torr 5 nyomáson, másrészt oxigén jelenlétében végezzük. Ezáltal a párologtatott fémréteg már részben oxidálódott, lazább szerkezetű lesz, és így az utána következő hőkezelés során az oxidálás teljesen végbemegy. 10 Ugy véljük, hogy a hőkezelésénél alkalmazott 400—900 C C hőmérséklet hatására a leválasztott fémötvözet még nem oxidálódott része megolvadva feltárja a hordozó felületén levő különböző, főleg kemoszorbeált szennyezők által alkotott réteget, és 15 ennek, valamint az adott hőmérsékleten már fellépő diffúziónak eredménye az, hogy az előállított vezetőréteg a hordozóval ohmos kontaktust képez. A hőkezelés során aztán a leválasztott rétegnek a hordozó felületi tartományaiba nem bediffundált része 20 oxiddá alakul, ami biztosítja a vezető réteg átlátszóságát. Ugy véljük továbbá, hogy a párologtatásnál alkalmazott fém adalékoknak az előállított réteg vezető tulajdonságainak kialakulásában van szerepük. 25 A találmány szerinti eljárásnál alkalmazható félvezető hordozó célszerűen az alábbi összetételű lehet: An B vl pl. ZnS, CdS; ATMB V pl. GaP, InAs; Ám B TI pl. GaS, GaSe; A n B IV C v pl. ZnSiP 2 , CdCeP 2 ; illetve ezekből az anyagokból képzett elegykristá- 30 Ívok, pl. ZnS-GaP, Gax Al 1 _ x P. A találmány szerinti eljárásnál az oxidálást célszerűen kis oxigén feleslegben, pl. a sztöhiometriailag szükséges mennyiségnél 5—10%-kal több oxigént tartalmazó, 1—1,5 atm nyomású nitrogén, vagy 35 - argon gázatmoszférában, 600—800 °C-on 5—20 perc alatt végezzük. A találmány szerinti eljárásra az alábbi példákat adjuk meg: 1. 10% ónt tartalmazó Ga ötvözetet párologtat- 40 tunk 6-10~3 torr nyomáson megfelelően tisztított GaP kristály 3x5 mm2 -es tetraéder lapjára. A rétegvastagság 400 Á volt. 0,1% oxigént tartalmazó argon atmoszférában, 20 mm átmérőjű kvarc csőben, 25 l/óra gázáram mellett hőkezeltük a kristályt 650 °C-on 10 percig. Kb. 5 perc alatt lehűtve a rendszert a kristályfelületen átlátszó galliumoxid vezetőréteg kialakulását figyelhettük meg. Ellenállása 190 ohm-nak mutatkozott. 2. A félvezető hordozó ZnSiP2 alapon kialakított GaP-ZnS elegykristályos rétegből állt. Az elegykristályos felületre 0,5% tellurt tartalmazó indium réteget, a ZnSiP, oldalra 2°0 cinket és 1% titánt tartalmazó ón réteget párologtattunk 400 Á vastagságban, 5-10~3 torr nyomáson. Az oxidálás 620 °C-on ment végbe 10 perc alatt atmoszferikus, 0,4% oxigént tartalmazó argon atmoszférában. Mindkét oxid réteg átlátszó, ohmos kontaktust adott. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás átlátszó vezetőréteg előállítására félvezető hordozón, ahol 10"1 —10~ 3 torr nyomású, oxigént tartalmazó atmoszférában fémötvözet párologtatásával 100—2000 Ángström vastagságú réteget viszünk fel, azzal jellemezve, hogy fémötvözetként 0,001—10% cink, antimon, bizmut, ólom, kadmium vagy ezek ötvözeteiből álló adalékot tartalmazó galliumot, indiumot, cinket, titánt, ónt vagy ezek ötvözeteit párologtatjuk a félvezető hordozóra, és a párologtatás után a réteget oxigénből és semleges gázból álló atmoszférában 400—900 °C hőmérsékleten hőkezeljük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy félvezető hordozóként An B VI , A ln B v , A ln B VI vagy A ir B IV C v összetételű testet alkalmazunk. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy félvezető hordozóként az A!I B VI , A m B v , A m B VI és/vagy A^B^CJ összetételű anyagokból képzett elegykristályt alkalmazunk. 4. Az előző igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a hőkezelést a sztöhiometriailag szükséges mennyiségné 15—10%-kal több oxigént tartalmazó nitrogén vagy argon gázatmoszférában végezzük. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 74—3043 — Dabasi Nyomda, Budapest—Dabas
