161793. lajstromszámú szabadalom • Eljárás köbös bórnitrid előllítására
3 161793 4 letve vasszilicidet használunk fel, ugyanis a felsorolt anyagok jelenlétében a hexagonális bórnitrid gyakorlatilag teljes mértékben köbös bórnitriddé alakul. A hexagonális bórnitrid átalakítása céljából 60—98 súly% mennyiségű hexagonális bórnitridhez 40—2 súly%i mennyiségű, a korábbiakban említett átmeneti fém-borid-, -nitrid-, -szilicid- vagy -germanid-iniciátort adunk. A találmány szerinti eljárást az oltalmi kör korlátozása nélkül az alábbi példákban részletesen ismertetjük. 1. példa: 60% hexagonális bórnitridet és 40% vas-szilicidet tartalmazó elegyet állítunk elő, és a reakcióelegyet magas hőmérséklet és nagy nyomás biztosítására alkalmas, tetszés szerinti felépítésű berendezés reakcióterébe töltjük. Nyomásátadó közegként litográfiái követ használunk. Az elegyet 60 kbar nyomás alá helyezzük és 3 perc alatt 1550 °C-ra hevítjük. A kezelés során a reakciótérben köbös bórnitrid képződik. 2. példa: Az 1. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy vas-szilicid helyett vasboridot használunk fel. 3. példa: Az 1. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy vas-szilicid helyett krómbromidot alkalmazunk. Az elegyet 55 kbar nyomás alá helyezzük és 5 perc alatt 1600 °C-hevítjük. 10~3 cm maximális szemcseméretű köbös bórnitridet kapunk. 4. példa: 85% hexagonális bórnitridet és 15%, vasboridot tartalmazó elegyet állítunk elő, és a reakcióelegyet magas hőmérséklet és nagy nyomás biztosítására alkalmas, tetszés szerinti felépítésű berendezés reakcióterébe töltjük. Nyomásátadó közegként litográfiái követ használunk. Az elegyet 60 kbar nyomás alá helyezzük és 2 perc alatt 1650 "C-ra hevítjük. A kezelés során köbös bórnitrid képződik. 5. példa: A 4. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy vasborid helyett niobiumboridot alkalmazunk. 6. példa: A 4. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy vasborid helyett titánboridot alkalmazunk. 7. példa: 98% hexagonális bórnitridet és 2% cirkóniumnitridet tartalmazó elegyet állítunk elő, 5 és a reakcióelegyet magas hőmérséklet és nagy nyomás biztosítására alkalmas,- tetszés szerinti felépítésű berendezés reakcióterébe töltjük. Nyomásátadó közegként litográfiái követ használunk. Az elegyet 55 kbar nyomás alá helyez-10 zük és 3 perc alatt 1600 °C-ra hevítjük. 10~3 cm maximális szemcseméretű köbös bórnitridet kapunk. 8. példa: 15 A 7. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy cirkóniumnitrid helyett vanádiumnitridet alkalmazunk. 20 9. példa: A 7. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy cirkóniumnitrid helyett molibdénnitridet alkalmazunk. 25 10. példa: A 7. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy cirkóniumnitrid he-30 lyett nikkelnitridet alkalmazunk. 11. példa: Az 1. példában leírt eljárást ismételjük meg, 35 azzal a különbséggel, hogy vas-szilicid helyett kobaltgermanidot alkalmazunk. 12. példa: 40 A 4. példában leírt eljárást ismételjük meg, azzal a különbséggel, hogy vasborid helyett króm-vaaborid-ötvözetet alkalmazunk. 45 Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás köbös bórnitrid előállítására, amelynek során hexagonális bórnitridet és a köbös bórnitrid képződését elősegítő iniciátort 50 tartalmazó reakcióelegyet 1500 °C-nál magasabb hőmérsékleten és 55 kbar-nál nagyobb nyomáson kezelünk, azzal jellemezve, hogy iniciátorként a periódusos rendszer IVb, Vb, VIb, illetve VIII. oszlop vas-csoportjába tartozó fémek 55 boridjait, nitridjeit, szilicidjeit vagy germanidjait, illetve azok elegyeit alkalmazzuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy iniciátorként titánboridot vagy titánnitridet alkalmazunk. 60 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatos!, tási módja, azzal jellemezve, hogy iniciátorként vas-szilicidet alkalmazunk. 4. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganato-65 sítási módja, azzal jellemezve, hogy 60—98% 2
