161778. lajstromszámú szabadalom • Eljárás átvezetési áramra és veszteségi tényezőre meghibásodott mangándioxid félvezető katódú takondenzátorok és kondenzátor anódok regenerálására
3 161778 4 anyag nagy értékét —nagydarabszámú gyártás esetén komoly költséget jelent. A találmány célja olyan eljárás kidolgozása, melynek segítségével a technológia során keletkező hibás anódok az eredeti eljárás szerint 5 újra feldolgozhatók kohászati módszer igénybevétele nélkül. A találmány azon a felismerésen alapszik, hogy az ismert eljárásokkal megfelelő mértékben nem utóoxidálható anódok dielektrikuma 10 helyrehozható a felvitt mangándioxid félvezetőréteg eltávolításával és az anód ismételt anódikus oxidálásával. A technika jelenlegi állása szerint nem volt nyilvánvaló, hogy a félvezető réteg felvitele megismételhető az anód elrom- 15 lása nélkül annak savas leoldása után. Alkalmasan megválasztott oldószerrel első lépésben az anód külső felületét borító, valamint a hozzáférhető nagyobb pórusokból távolítjuk el a mangándioxid réteget. A második lépésben 20 a belső kisebb méretű pórusokból távolítjuk el a mangándioxidot. A rendszerben maradó szenynyező ionokat kevertágyas ioncserélő rendszerben végtisztítjuk. Ezt követőleg az anódokat a leoldás előtti anódikus oxidálás feszültségén oxi- 25 dáljuk és ismert módon feldolgozzuk. A módszer bármilyen technológiával készült mangándioxid félvezetőjű tantál kondenzátorra alkalmazható. 30 A módszer további előnye, hogy jellegénél fogva alkalmas a házba szerelés után meghibásodott kondenzátorok javítására is. A találmány szerinti eljárás foganatosítására az alábbi kiviteli példákat adjuk meg. 35 1. példa: A gyártás folyamán átvezetési áram szem- 40 pontjából selejtnek bizonyult kondenzátorokból 125 db-t kiválasztottunk eljárásunk kipróbálása céljából. A 125 db meghibásodott kondenzátoron a névleges feszültségen mérve összesen 25 mA áram folyt át (átlagosan 200 pA darabon- 45 ként). Ezekről a kondenzátorokról oxálsav és kénsav híg oldatával a félvezető mangándioxid réteget leoldottuk. Az oldást híg sósavval folytattuk. A leoldás befejezése után a kondenzátorokat ionmentes vízzel többször mostuk, majd 50 híg ecetsav oldatban kevertágyas ioncserélő jelenlétében megemelt hőmérsékleten lassú keverés közben tovább tisztítottuk. A folyamat befejezése után szárítással a maradék oldószert eltávolítottuk. 55 A kiadásért felel: a Közgazdasági 7406024. Zrínyi (T) Nyomda, Budapi A megtisztított anódtesteket anódikusan oxidáltuk azon a feszültségen, melyre eredetileg készült. Az anódikus oxidálás befejeztével az anódtesteket ismert módon mangánnitráttal impregnáltuk, és anódikusan utóoxidáltuk. A műveletsor befejezésekor a végső elektrolitban végzett árammérésnél a kondenzátorokon névleges feszültségen 50 /*A átvezetési áram folyt át, azaz 0,4 /*A/db átlagértékre csökkent. 2. példa: Fémházba szerelt tantál kondenzátor anódok regenerálása, amelyek átvezetési árama magasabb a megengedett értéknél. A kondenzátorházból az anódtesteket kiszerelve, az 1. példa szerinti eljárást alkalmazva, a kondenzátorokat ismételten házbaszerelve, elektromosan utóégetve a kondenzátorokon mért értékek a következők: Kapacitás: 16,2 ^F 13,9 ^F Veszteségi tényező: 2,4 % 2,5 % Átvezetési áram: 0,6 /*A 0,2 i*A (20 V 15 /"F típus esetén, 50 Hz frekvencián mérve). Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás tantál porból zsugorított anóddal készült, mangánnitráttal impregnált, mangándioxid félvezető katódú, hibás kondenzátorok regenerálására, azzal jellemezve, hogy a meghibásodott dielektrikumú anód darabokat kénsavoxálsav vizes oldatának, célszerűen a sztöchiometrikus arányoknak megfelelő keverékébe helyezzük és a mangándioxid leoldásáig benne hagyjuk, ezt követően folyóvízben mossuk, majd sósav 4—38%-os, célszerűen 25%rOS vizes oldatába helyezzük és a nyomokban levő mangándioxid maradékot az anódokról 40—98 °C-on, célszerűen 80 °C hőmérsékleten eltávolítjuk, majd a sósavoldatot elöntjük és az anódokat kevertágyas ioncserélőn keringtetett vízzel ionmentesre mossuk, ezután az anódokat megszárítjuk, majd anódikusan oxidáljuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a megtisztított anódfelületet (dielektrikumot) állandó feszültségen, célszerűen a meghibásodás előtti vagy annál nagyobb feszültségen, — előnyösen 2—4 óráig — oxidáljuk. Jogi Könyvkiadó Igazgatója. V., Balassi Bálint utca 21—23. 2
