160424. lajstromszámú szabadalom • Eljárás elektrolumineszkáló eszköz előállítására

160424 n-típusú kristály (12) foszforos felületére 1000— 1100 °C hőmérésikleten és hidrogénből valamint ammóniából álló gázkeverék áramoltatása mellett - folyadék fázisból epitaxiálisan p-típusú réteget (13) növesztünk galliumfosafidot és akcep-3 tor szennyeződést tartalmazó folyékony galliumnak az n-típusú kristályra (12) történő ráöntésével, azzal jellemezve, hogy a gallium, galliumfoszfid és galliumsziulfid mennyiségi arányát 50 :5 : l'0~4

-re választjuk. 1 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója. 7307090. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 4